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半導(dǎo)體光電雜志北大期刊統(tǒng)計源期刊
Semiconductor Optoelectronics
同學(xué)科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計源期刊 部級期刊 省級期刊
- 雙月刊 出版周期
- 50-1092/TN CN
- 1001-5868 ISSN
- 主管單位：中國電子科技集團(tuán)有限公司
- 主辦單位：重慶光電技術(shù)研究所
- 創(chuàng)刊時間：1976
- 開本：A4
- 出版地：重慶
- 語種：中文
- 審稿周期：1-3個月
- 影響因子：0.87
- 被引次數(shù)：167
- 數(shù)據(jù)庫收錄：
北大期刊(中國人文社會科學(xué)期刊)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏
半導(dǎo)體光電雜志簡介
《半導(dǎo)體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物。刊載半導(dǎo)體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術(shù)，以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文、學(xué)位論文和工作報告，介紹光學(xué)、光子學(xué)、量子電子學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件，報道國內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對象為半導(dǎo)體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。
半導(dǎo)體光電雜志欄目設(shè)置
本刊動態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應(yīng)用。
半導(dǎo)體光電雜志榮譽(yù)信息
半導(dǎo)體光電雜志訂閱方式
地址：重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號，郵編：400060。
半導(dǎo)體光電雜志社投稿須知
1.來稿要求論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴(yán)密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)和第一作者及通訊作者（一般為導(dǎo)師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項(xiàng)目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。
2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容（100字左右），應(yīng)具有獨(dú)立性與自含性，關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。
3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標(biāo)準(zhǔn)。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標(biāo)應(yīng)區(qū)別明顯。
4.文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。
5.參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻(xiàn)。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標(biāo)明，參考文獻(xiàn)不少于3條。
6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內(nèi)審稿，電子郵件回復(fù)作者。重點(diǎn)稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知），則請與本部聯(lián)系確認(rèn)。
7.來稿文責(zé)自負(fù)。所有作者應(yīng)對稿件內(nèi)容和署名無異議，稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對來稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。
8.請作者自留備份稿，本部不退稿。
9.論文一經(jīng)發(fā)表，贈送當(dāng)期樣刊1-2冊，需快遞的聯(lián)系本部。
10.請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細(xì)聯(lián)系地址、電話（包括手機(jī)）、郵編等信息，以便聯(lián)系有關(guān)事宜。
半導(dǎo)體光電雜志范例
GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器光響應(yīng)特性
兩基色白光LED的光視效能的研究
1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計
用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管
Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型
光伏型光電探測器漂移-擴(kuò)散模型的改進(jìn)
集成光波導(dǎo)微應(yīng)力傳感器研究
數(shù)字光電耦合器隔離性能及動態(tài)特性測試儀
MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實(shí)現(xiàn)
InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)的影響
超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)
摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理
銦對GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響
Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性
可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能
二次退火對p型GaN的應(yīng)變影響
圓片直接鍵合界面表面能測試研究
半導(dǎo)體光電雜志數(shù)據(jù)信息
影響因子和被引次數(shù)
雜志發(fā)文量
半導(dǎo)體光電雜志發(fā)文分析
主要資助課題分析
| 資助課題 | 涉及文獻(xiàn) |
| 重慶市自然科學(xué)基金(2010BB2409) | 16 |
| 國家自然科學(xué)基金(90104003) | 12 |
| 重慶市教委科研基金(KJ110519) | 10 |
| 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2006CB604902) | 10 |
| 國家自然科學(xué)基金(61377088) | 10 |
| 國家自然科學(xué)基金(90304004) | 10 |
| 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2003CB314905) | 9 |
| 國家自然科學(xué)基金(60506012) | 9 |
| 國家自然科學(xué)基金(60678018) | 9 |
| 教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計劃”(NCET-10-0583) | 9 |
主要資助項(xiàng)目分析
| 資助項(xiàng)目 | 涉及文獻(xiàn) |
| 國家自然科學(xué)基金 | 1542 |
| 國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃 | 315 |
| 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃 | 213 |
| 國家教育部博士點(diǎn)基金 | 70 |
| 重慶市自然科學(xué)基金 | 70 |
| 中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 | 63 |
| 教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計劃” | 52 |
| 重慶市教委科研基金 | 48 |
| 重慶市教育委員會科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目 | 47 |
| 廣東省自然科學(xué)基金 | 45 |
