半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別精選(九篇)

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第1篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

——中國半導(dǎo)體照明的出路究竟在哪里

張曉云

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體照明 數(shù)字化 出路 創(chuàng)新 問題 中國品牌 財(cái)政補(bǔ)貼

在光伏產(chǎn)業(yè)的問題爆發(fā)之后不久，半導(dǎo)體照明又步入今天的尷尬局面。這兩大節(jié)能支柱產(chǎn)業(yè)為何相繼面臨崩盤，令人深思。產(chǎn)品市場應(yīng)用空間巨大；用戶就是不買單；這是擺在我們面前的兩個(gè)不可否認(rèn)的事實(shí)。問題究竟出在哪里？是政策導(dǎo)向問題？是科技能力問題？還是另有問題？

既有半導(dǎo)體照明，如同一個(gè)長不大的“老小孩”，一匹將死的“千里馬”；對這個(gè)十歲的“老小孩”，需要做的是斷奶，否則，它永遠(yuǎn)也長不大。對這匹將死的“千里馬”不能進(jìn)補(bǔ)，大補(bǔ)充其量讓它多活幾天，治標(biāo)不治本，改變不了它死去的必然。

一、溯本求源，敢于真實(shí)面對存在問題。

眾所周知，電視機(jī)——家喻戶曉，它幾乎與照明一樣不可或缺。在我國電視產(chǎn)品史上經(jīng)歷過幾次變遷：從黑白電視到彩色電視再到液晶電視；從模擬單功能到數(shù)字化多功能。當(dāng)人們舍棄黑白電視選擇彩色電視時(shí)，是痛苦還是幸福？

筆者經(jīng)歷了，一群人象看露天電影一樣、圍著一臺黑白電視觀看新聞聯(lián)播的場景和年代，黑白電視機(jī)的過程不可缺少，但它也只能是個(gè)過程不會永久持續(xù)。這是事物發(fā)展的自然規(guī)律，是時(shí)代進(jìn)步的要求和象征，不以人們的意志為轉(zhuǎn)移。

我國半導(dǎo)體照明還處在初級階段，未來的路還很長，現(xiàn)在的產(chǎn)品如同早年的黑白電視一樣，已到可以冠名“既有”的時(shí)候了，歷史賦予它的使命已然完成，應(yīng)允許它光榮謝幕。人們將欣然迎接數(shù)字化半導(dǎo)體照明的到來。

不可否認(rèn)，會有人象當(dāng)年淘汰黑白電視時(shí)一樣，有些眷念和不舍，甚至不解。也不可否認(rèn)，會給一些生產(chǎn)企業(yè)的轉(zhuǎn)型構(gòu)成少量損失。但是，這亦屬歷史車輪不可阻擋。

既有半導(dǎo)體照明之弊端主要有兩個(gè)方面：（一）產(chǎn)品功能過于單一，無法滿足當(dāng)今市場多元化的使用需求。就功能而言，它與最古老的白熾燈幾乎沒有區(qū)別。（二）生產(chǎn)廠家無門檻，產(chǎn)品魚目混雜，質(zhì)量參差不齊。產(chǎn)品宣傳與實(shí)際品質(zhì)不符，產(chǎn)品價(jià)格偏高，價(jià)值與價(jià)格不符；總而言之，不符合現(xiàn)時(shí)代市場和用戶的價(jià)值取向，已喪失了市場和用戶對良好節(jié)能產(chǎn)品的親睞。

現(xiàn)代產(chǎn)品的價(jià)值，需要從兩個(gè)方面體現(xiàn)，一是產(chǎn)品自身的價(jià)值，二是產(chǎn)品的應(yīng)用價(jià)值。有如黃金的純度是它的自身價(jià)值，黃金制品作用以及它的附加值可以創(chuàng)造的效益，是它的應(yīng)用價(jià)值。由此可見，既有半導(dǎo)體照明產(chǎn)品在這兩點(diǎn)上，均不具備條件，不符合當(dāng)今時(shí)代要求，不符合市場和用戶的價(jià)值取向。

二、舍棄是為了進(jìn)步，從根本上解決問題

半導(dǎo)體光源節(jié)能是它具有的先天優(yōu)點(diǎn)，但不代表半導(dǎo)體照明產(chǎn)品不需要賦有時(shí)代性。通過科技元素的投入，擴(kuò)展照明產(chǎn)品功能，提升產(chǎn)品自身和應(yīng)用價(jià)值，方能排解當(dāng)前市場瓶頸問題。淘汰既有半導(dǎo)體照明產(chǎn)品如同淘汰黑白電視一樣，是進(jìn)步、是明智之舉。

我國現(xiàn)已推出的數(shù)字化半導(dǎo)體照明系統(tǒng)產(chǎn)品，是將半導(dǎo)體發(fā)光材料與數(shù)字化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化等先進(jìn)技術(shù)集結(jié)于一身，在達(dá)到用戶照明需求水準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，將照明產(chǎn)品的應(yīng)用體系、維護(hù)體系和管理體系提升到符合人性化需求的高度，其產(chǎn)品的自身價(jià)值和應(yīng)用價(jià)值都得以大幅提升。需要著重說明的是，增量成本投入主要是軟件，總體投入并未明顯提高。眾所周知，軟件投入僅前期開發(fā)成本略高，后期的應(yīng)用成本卻極低，且所增功能可提升產(chǎn)品壽命保障系數(shù)和設(shè)備運(yùn)行管理效率，大幅降低維護(hù)和管理成本，投入和產(chǎn)出的效益比例十分明顯。因此，放棄既有半導(dǎo)體照明，將照明產(chǎn)業(yè)推向數(shù)字化時(shí)代、符合當(dāng)今科技、經(jīng)濟(jì)和市場發(fā)展要求，符合市場及用戶的使用需求，符合自然發(fā)展規(guī)律；可以從根本上解決既有半導(dǎo)體照明產(chǎn)品存在的自身價(jià)值和應(yīng)用價(jià)值問題，以及由此而導(dǎo)致的產(chǎn)業(yè)瓶頸問題。

科技部《半導(dǎo)體照明科技發(fā)展“十二五”專項(xiàng)規(guī)劃》中指出，近年來半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈爆發(fā)式增長態(tài)勢，我國半導(dǎo)體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)具備跨越式發(fā)展機(jī)會，我國半導(dǎo)體照明發(fā)展需求明顯。發(fā)展以軟件服務(wù)為導(dǎo)向的照明系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法研究，以軟件服務(wù)為導(dǎo)向的照明系統(tǒng)技術(shù)與解決方案研究，開展LED創(chuàng)新應(yīng)用技術(shù)研究，開發(fā)智能化、網(wǎng)絡(luò)化LED照明系統(tǒng)。預(yù)期到2015年，建立國家級產(chǎn)業(yè)化基地20個(gè)，試點(diǎn)示范城市50個(gè)，LED照明產(chǎn)品在通用照明市場的份額達(dá)到30%，硅基半導(dǎo)體照明、創(chuàng)新應(yīng)用、智能化照明系統(tǒng)及解決方案開發(fā)等達(dá)到世界領(lǐng)先水平。

三、樹立半導(dǎo)體照明產(chǎn)品的中國品牌

數(shù)字化半導(dǎo)體照明誕生于中國，任何人都不能改變這一事實(shí)。目前，雖然數(shù)字化半導(dǎo)體照明尚為中國僅有。但是，仍然要重視兩個(gè)問題。一是國外先進(jìn)的技術(shù)水平隨時(shí)都有可能復(fù)制并超越；二是國內(nèi)還有部分沒有搞清楚狀況的人在試圖阻攔其發(fā)展。誰能否認(rèn)，數(shù)字化半導(dǎo)體照明她姓中國；誰又能否認(rèn)，數(shù)字化半導(dǎo)體照明是未來照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢。因此，樹立數(shù)字化半導(dǎo)體照明產(chǎn)品中國品牌，不僅是十分必要而且是當(dāng)務(wù)之急。

由于中央政府的高度重視，同時(shí)擁有巨大的市場應(yīng)用空間，我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有得天獨(dú)厚的條件。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)已歷經(jīng)十年余，打下了較為堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，盡管還存在一些問題，但可以通過品牌樹立的過程中逐步排解。

樹立中國產(chǎn)品品牌形象有利于增強(qiáng)市場競爭力，進(jìn)一步拓展國際市場；有利于增強(qiáng)民族自信心，樹立半導(dǎo)體照明市場新形象，進(jìn)一步推動(dòng)國內(nèi)市場；有利于促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的良性快速發(fā)展，打造具有中國特色的照明產(chǎn)品品質(zhì)。

這項(xiàng)工作需要政府牽頭引導(dǎo)，企業(yè)積極參與，制訂品牌打造的規(guī)劃，組建真正的專業(yè)團(tuán)隊(duì)。從而整合資源集結(jié)力量，著實(shí)地開展這項(xiàng)工作。形成高水準(zhǔn)的符合時(shí)代要求的中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)。

四、財(cái)政補(bǔ)貼，期待成為數(shù)字化半導(dǎo)體照明的畫龍點(diǎn)睛之筆

近期，某機(jī)構(gòu)召開的規(guī)格不低的研討會，討論的重點(diǎn)還是半導(dǎo)體照明的市場財(cái)政補(bǔ)貼如何分配，現(xiàn)在當(dāng)務(wù)之急要探討的不是，如何給既有半導(dǎo)體照明進(jìn)補(bǔ)的問題，而是如何按照“規(guī)劃”要求交替的問題。

政府出臺的十二五半導(dǎo)體照明“科技”發(fā)展政策，不是扶貧政策。財(cái)政所給予的補(bǔ)貼，是調(diào)整產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向、促進(jìn)市場規(guī)范之用，所要起到的是畫龍點(diǎn)睛的作用，是調(diào)味品而不是主食。別總惦記著把那點(diǎn)僅有的味精，占為己有去當(dāng)主食享用！政策的大標(biāo)題已說得夠清楚了，是“科技發(fā)展”不是“生產(chǎn)發(fā)展”！我國的市場經(jīng)濟(jì)是具有中國特色的：政治是導(dǎo)向，經(jīng)濟(jì)是支撐，科技是創(chuàng)新，生產(chǎn)僅僅是個(gè)數(shù)字。就是這些“盈利型的數(shù)字”占據(jù)了大部分味精，讓那些不贏利的科技創(chuàng)新餓得要死。

第2篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；產(chǎn)品制造方法專利；新產(chǎn)品；同樣的產(chǎn)品

一、我們半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的專利申請現(xiàn)狀

半導(dǎo)體領(lǐng)域，因其產(chǎn)品具有高技術(shù)性、高創(chuàng)新性和短周期性等特點(diǎn)，使專利保護(hù)成為維護(hù)行業(yè)利益最重要的手段之一。根據(jù)美國湯森路透社（Thomson Reuters）公布的2012年知識產(chǎn)權(quán)調(diào)查報(bào)告，我國在該領(lǐng)域的專利申請數(shù)量每年都有穩(wěn)步增長。這一方面顯示了我國半導(dǎo)體企業(yè)在世界競爭中對創(chuàng)新技術(shù)的保護(hù)意識逐步增加，另一方面，在這些巨大的專利申請量背后隱藏的信息不得不引起我們的警覺和思考。

由于半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)品具有上述特點(diǎn)，發(fā)明專利的申請比重尤為巨大。同時(shí)，就筆者所了解的，在電路設(shè)計(jì)、器件制造和芯片封裝等一系列行業(yè)中，design house 和 foundry制造廠的地位不分伯仲，因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造方法的技術(shù)創(chuàng)新都可以給半導(dǎo)體領(lǐng)域帶來行業(yè)地震，因此產(chǎn)品專利和產(chǎn)品制造方法的專利同樣重要。

但現(xiàn)狀卻是，半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)品專利備受追逐與重視，相比之下，產(chǎn)品制造方法的專利往往是作為產(chǎn)品專利的附帶申請，除了個(gè)別極具創(chuàng)新性的制造方法之外，其余的授權(quán)與否并不受到多大的重視。這種現(xiàn)狀的出現(xiàn)也是專利申請人衡量了成本與收益之后做出的一種無奈選擇。那么我們就分析一下這種選擇是如何做出的，以及在現(xiàn)狀之下是否有可改進(jìn)的期待。

二、產(chǎn)品制造方法專利的專利保護(hù)性

所謂產(chǎn)品制造方法的專利，即對一種具體產(chǎn)品制造方法的工藝流程申請的專利。針對半導(dǎo)體芯片制造業(yè)，可以理解成在foundry所進(jìn)行的從襯底和外延的形成，以及利用掩模版進(jìn)行刻蝕、離子摻雜、擴(kuò)散和淀積等一系列器件制造的過程。這其中，掩模版?zhèn)€數(shù)、溫度控制、離子摻雜過程和方式等都會對半導(dǎo)體器件的可量產(chǎn)性和良率高低產(chǎn)生巨大的影響。因此，如果一種能降低制造成本和簡化工藝流程的制造方法可以獲得專利保護(hù)，對企業(yè)將會是一道堅(jiān)強(qiáng)的保護(hù)屏障。

此外，產(chǎn)品制造方法專利的專利保護(hù)有其特殊性，因?yàn)槠渚哂小把由毂Ｗo(hù)”。根據(jù)專利法第十一條：“發(fā)明專利權(quán)被授予后，除本法另有規(guī)定的以外，任何單位和個(gè)人未經(jīng)專利權(quán)人許可，不得實(shí)施其專利…或者使用其專利方法以及使用、許諾銷售、銷售、進(jìn)口依照該專利方法直接獲得的產(chǎn)品”。因此，所謂“延伸保護(hù)”即保護(hù)的不僅是“制造方法”，還有“依照該專利方法直接獲得的產(chǎn)品”。據(jù)此，產(chǎn)品制造方法專利的保護(hù)范圍應(yīng)該更廣更受歡迎，但為何又會出現(xiàn)如此的現(xiàn)狀？

三、產(chǎn)品制造方法專利的成本性

我們知道，專利權(quán)人可以利用一項(xiàng)專利權(quán)，包括對該專利權(quán)的獲取、維護(hù)和利用。因此，產(chǎn)品制造方法專利的成本最初即包括專利申請和授權(quán)之后每年的年費(fèi)這兩項(xiàng)不低的費(fèi)用。除此，在對專利權(quán)的利用過程中的成本，才是最讓半導(dǎo)體企業(yè)無所適從的部分。

當(dāng)一個(gè)產(chǎn)品制造方法專利的專利權(quán)人想對一個(gè)疑似侵權(quán)人提訟時(shí)，他必須要考慮且要證明如下問題：按照自己的專利方法直接獲得的產(chǎn)品是否是新產(chǎn)品？被訴侵權(quán)人制造的產(chǎn)品與按照自己的專利方法制造的產(chǎn)品是否是同樣的產(chǎn)品？只有證明了這兩個(gè)問題，在訴訟中才可以提請舉證責(zé)任倒置，即根據(jù)專利法第六十一條，要求“制造同樣產(chǎn)品的單位或者個(gè)人提供其產(chǎn)品制造方法不同于專利方法的證明”。然而，上述兩個(gè)看似簡單的問題，在證明過程中的困難卻是巨大的。

（一）、是否是新產(chǎn)品的制造方法

由于專利法第六十一條只針對的是新產(chǎn)品，因此對于已知產(chǎn)品的具有創(chuàng)新性的制造方法并沒有落入其范圍之內(nèi)。即對于一個(gè)已知產(chǎn)品的新的制造方法，原告專利權(quán)人無權(quán)提請舉證責(zé)任倒置，即需要原告自己證明被訴侵權(quán)人實(shí)施了與他的專利權(quán)相同的專利方法。我們知道，由于foundry生產(chǎn)制造流程和方式的不可公開性，想要取得這些證據(jù)無疑是天方夜譚，即便可行，也需要巨大的時(shí)間成本和資金成本，這對于一些中小型半導(dǎo)體企業(yè)來說，顯然是無法負(fù)擔(dān)也是不可行的。

對于如何證明按照自己的專利方法所直接獲得的產(chǎn)品是“新產(chǎn)品”，我國專利制度對“新產(chǎn)品”的界定可謂變化多端[1]。其中，就“新產(chǎn)品”針對的是本國市場還是世界市場，北京市高院2001年《專利侵權(quán)判定若干問題的意見（試行）》、《新專利法詳解》（2001）以及2008年最高人民法院的答復(fù)都做了不同的解釋。直到2009年“專利侵權(quán)糾紛的司法解釋”一改以上僅強(qiáng)調(diào)“產(chǎn)品”的態(tài)度，增加為“產(chǎn)品或者制造產(chǎn)品的技術(shù)方案在專利申請日以前為國內(nèi)外公眾所知的，人民法院應(yīng)當(dāng)認(rèn)定該產(chǎn)品不屬于專利法第六十一條第一款規(guī)定的新產(chǎn)品”。對此，針對“新產(chǎn)品”和“新方法”的證明看似簡單了，有利于專利權(quán)人，實(shí)則背后又有不少的隱患，此將在后面做出討論。

（二）、是否是同樣的產(chǎn)品

在專利權(quán)人證明了按照自己的專利方法所直接獲得的產(chǎn)品是“新產(chǎn)品”之后，還要繼續(xù)證明“被訴侵權(quán)人制造的產(chǎn)品與依照專利方法制造的產(chǎn)品屬于同樣的產(chǎn)品”。此處所涉及到的問題更為繁瑣。首先，“被訴侵權(quán)人制造的產(chǎn)品”是其制造的最終產(chǎn)品？還是也包括其制造的中間產(chǎn)品？其次，何為“同樣的產(chǎn)品”？是完全相同？還是大部分相同？再者，司法鑒定的依據(jù)是什么？這些都沒有一個(gè)明確的法律條文和司法解釋做出限定。而筆者認(rèn)為，是否是“同樣的產(chǎn)品”并不能一概而論，因其在不同的行業(yè)領(lǐng)域，不同產(chǎn)品之間的區(qū)別和判斷標(biāo)準(zhǔn)并不是一致的。例如在化學(xué)和醫(yī)藥領(lǐng)域，不同產(chǎn)品之間的區(qū)別可能是由分子量級而論的，而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，不同產(chǎn)品之間的區(qū)別可能是由其結(jié)構(gòu)和功能綜合判斷，也可能是由微米納米量級上得到的結(jié)構(gòu)不同而論的。因此，作為原告專利權(quán)人的半導(dǎo)體企業(yè)，尤其是一些中小創(chuàng)新型企業(yè)，要去做出一份全面的并且可以被法院接受的證明并取得相關(guān)的證據(jù)，是非常困難的。

四、對產(chǎn)品制造方法專利相關(guān)政策改善的期待

正是由于上述討論的原因，使得大多數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)衡量了成本和收益的前提下，選擇放棄了對產(chǎn)品制造方法專利的重視和利用。但是，專利法第一條即言，制定專利法的目的是為了“鼓勵(lì)發(fā)明創(chuàng)造，推動(dòng)發(fā)明創(chuàng)造的應(yīng)用，提高創(chuàng)新能力，促進(jìn)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展”，因此，為了推進(jìn)制造方法專利的實(shí)施和保護(hù)，必須讓可能的專利權(quán)人有更多可以期待的價(jià)值。

筆者的觀點(diǎn)認(rèn)為，可以一方面明確規(guī)定擴(kuò)大制造方法專利“延伸保護(hù)”的范圍，不必只是限定“依照專利方法直接獲得的產(chǎn)品”，可否參考美國專利法，綜合考慮當(dāng)該“依照專利方法直接獲得的產(chǎn)品”作為中間產(chǎn)品使用或者作為原材料使用時(shí)，在疑似侵權(quán)產(chǎn)品的“組分、構(gòu)成、質(zhì)量、性能或功能”方面起到的作用，來判斷該疑似侵權(quán)產(chǎn)品是否侵權(quán)。這樣可以提高制造方法專利的專利權(quán)人維權(quán)的積極性以及避免故意利用“依照專利方法直接獲得的產(chǎn)品”作為中間產(chǎn)品稍作加工而牟利的情況。進(jìn)而另一方面，在舉證責(zé)任倒置時(shí)，被訴侵權(quán)人不僅要證明其產(chǎn)品制造方法不同于專利方法， 還要給出由原告證明的對其產(chǎn)品起關(guān)鍵作用的“中間產(chǎn)品”不同于“依照專利方法直接獲得的產(chǎn)品”，這樣可以簡化和縮短原告專利權(quán)人的維權(quán)路徑和鏈條。（作者單位：1.斐成（上海）貿(mào)易有限公司；2.上海圖書館上海科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所）

第3篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

降低標(biāo)簽成本10倍

自世界頭號零售商沃爾瑪宣布大范圍使用RFID和美國軍方宣布軍需物品均使用RFID標(biāo)簽來進(jìn)行識別與跟蹤以來，近年RFID技術(shù)開始在全球范圍內(nèi)掀起陣陣，吸引了眾多知名企業(yè)參與相關(guān)芯片及技術(shù)的研究和開發(fā)。

目前RFID技術(shù)正處于迅速上升的時(shí)期，被業(yè)界公認(rèn)為是本世紀(jì)十大技術(shù)之一，RFID商品標(biāo)簽也被認(rèn)為將是今后全球商品交易及物流中采用最廣的技術(shù)之一。但RFID標(biāo)簽的高成本卻制約著這一技術(shù)的普及（RFID標(biāo)簽的成本大約在每枚0.2美元以上）。為了解決這個(gè)關(guān)鍵問題，RFID標(biāo)簽設(shè)計(jì)及制作工作一直在尋找新的途徑。近年來國外已經(jīng)開始有機(jī)RFID標(biāo)簽技術(shù)的研究，并且已經(jīng)取得了很大的成就。采用有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)能夠使IC電路制備在便宜的塑料基底上，進(jìn)行取代硅芯片的方案，最后通過印刷方式進(jìn)行批量生產(chǎn)。據(jù)估計(jì)，這種有機(jī)RFID標(biāo)簽的成本將有望降至0.01～0.02美元甚至更低。作為一個(gè)低成本的選擇方案，有機(jī)RFID將在世界范圍內(nèi)開辟一個(gè)新的市場，與硅片RFID技術(shù)相互補(bǔ)充來滿足市場的需求。

可印刷的RFID

有機(jī)RFID技術(shù)其基本原理同半導(dǎo)體RFID一樣，是利用射頻信號和空間耦合（電感或電磁耦合）傳輸特性，實(shí)現(xiàn)對識別物體的自動(dòng)識別。系統(tǒng)一般由兩部分組成，即有機(jī)RFID標(biāo)簽（應(yīng)答器）和閱讀器（讀頭）。在實(shí)際應(yīng)用中，有機(jī)電子標(biāo)簽附著在被識別的物體上，當(dāng)帶有有機(jī)電子標(biāo)簽的被識別物品通過其可識讀范圍時(shí)，閱讀器自動(dòng)以無接觸的方式將有機(jī)電子標(biāo)簽中的約定識別信息取出，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)識別物品或自動(dòng)收集物品標(biāo)志信息的功能。有機(jī)RFID技術(shù)除了具有半導(dǎo)體RFID技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)以外，還具有便宜、厚度可以非常薄等特點(diǎn)，可以制成柔性電子標(biāo)簽，使用時(shí)可以隨意粘貼，不受軟硬度及厚度等限制，將來可以廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、商業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸控制管理、軍事物流等眾多領(lǐng)域。

有機(jī)RFID標(biāo)簽

有機(jī)RFID作為一種新事物，是有機(jī)半導(dǎo)體和RFID技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物。有機(jī)RFID標(biāo)簽的工作原理、結(jié)構(gòu)、功能及頻譜劃分等與無機(jī)RFID相比并沒有太大的區(qū)別，二者主要的區(qū)別在于材料和加工工藝的不同。無機(jī)RFID標(biāo)簽的芯片部分需要通過復(fù)雜及昂貴的IC工藝在硅片上制備出來，然后再與天線部分集成在一起構(gòu)成完整的標(biāo)簽。而有機(jī)RFID標(biāo)簽則力圖全部通過印刷技術(shù)，用金屬和有機(jī)物墨水把天線和芯片直接制備在同一襯底上，因?yàn)椴捎昧擞∷㈦娮蛹夹g(shù)，有機(jī)薄膜晶體管能夠使電路制備在便宜的塑料基底上，通過卷對卷（R2R）印刷技術(shù)批量生產(chǎn)有機(jī)RFID標(biāo)簽，這樣制作工藝將得到簡化，成本也將大大地降低。據(jù)Nature Materials Commentary雜志報(bào)導(dǎo)，全有機(jī)的RFID標(biāo)簽成本將降至每枚0.01～0.02美元。如果有機(jī)RFID技術(shù)成熟的話，Nature期刊所設(shè)想的一種產(chǎn)品可能將大量進(jìn)入市場: 這種產(chǎn)品將顯示部件、傳感部件和RFID標(biāo)簽集中于一種商品上。這樣對每件商品，消費(fèi)者可以直接知道其保鮮度、顏色、溫度等有關(guān)質(zhì)量信息。

有機(jī)RFID標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)在組成上與無機(jī)RFID標(biāo)簽并無多大差異。RFID標(biāo)簽主要由天線、整流器、IC芯片及負(fù)載調(diào)節(jié)器部分組成。讀寫器將要發(fā)送的信息，經(jīng)編碼后載在某一頻率的載波信號上經(jīng)天線向外發(fā)送，進(jìn)入閱讀器工作區(qū)域的電子標(biāo)簽接收此脈沖信號，卡內(nèi)芯片中的有關(guān)電路對此信號進(jìn)行調(diào)制、解碼、解密，然后對命令請求、密碼、權(quán)限等進(jìn)行判斷。若讀命令，控制邏輯電路則從存儲器中讀取有關(guān)信息，經(jīng)加密、編碼、調(diào)制后通過卡內(nèi)天線再發(fā)送給閱讀器， 最后閱讀器對接收到的信號進(jìn)行解調(diào)、解碼、解密后送至中央信息系統(tǒng)進(jìn)行有關(guān)數(shù)據(jù)處理。因此有機(jī)RFID技術(shù)的發(fā)展還將得益于多項(xiàng)技術(shù)的綜合發(fā)展。所涉及的關(guān)鍵技術(shù)大致包括: 有機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)、芯片技術(shù)、天線技術(shù)、無線收發(fā)技術(shù)、數(shù)據(jù)變換與編碼技術(shù)、電磁傳播技術(shù)等。

RFID標(biāo)簽按其發(fā)射方式可分為反射式和發(fā)射式兩種。反射式（通常為無源標(biāo)簽所采用）將閱讀器發(fā)射的高頻信號經(jīng)過標(biāo)簽內(nèi)產(chǎn)生的識別信號調(diào)制后，形成的已調(diào)信號反射發(fā)送到閱讀器中。閱讀器將接收到已調(diào)信號，并解調(diào)出識別信號進(jìn)行識別。發(fā)射式（通常為有源標(biāo)簽采用）射頻卡內(nèi)有高頻載波發(fā)生電路，該電路產(chǎn)生高頻載波，并被卡內(nèi)產(chǎn)生的識別信號調(diào)制，調(diào)制后的已調(diào)信號發(fā)送到閱讀器中。

美國的3M公司早在2003年就采用并五苯(Pentacene)等高性能的導(dǎo)電材料制作了儲存信息量為1位，頻率為125KHz的并五苯RFID標(biāo)簽。電路部分幾乎全部采用有機(jī)薄膜晶體管制作而成。有機(jī)射頻卡電路是屬于反射式的，7環(huán)振蕩器和或非門構(gòu)成識別信號發(fā)生電路，產(chǎn)生振蕩脈沖識別信號，調(diào)制閱讀器發(fā)出的高頻信號，并反射給閱讀器，閱讀器接收到已調(diào)信號，并解調(diào)出識別信號進(jìn)行識別。有機(jī)RFID應(yīng)答器的電路部分包括脈沖識別信號產(chǎn)生電路、緩沖放大電路及射頻信號調(diào)制電路。

儲存信息量大的有機(jī)RFID標(biāo)簽則需要加入儲存電路部分。在這方面德國PolyIC已經(jīng)做出了驚人的成果。成功開發(fā)出32和64字節(jié)內(nèi)存的有機(jī)RFID產(chǎn)品，除天線部分外，調(diào)制電路、儲存電路和邏輯控制電路等內(nèi)部電路均使用有機(jī)材料，集成了數(shù)百上千個(gè)有機(jī)薄膜晶體管。

有機(jī)薄膜晶體管

有機(jī)薄膜晶體管物理特性的提高導(dǎo)致采用有機(jī)薄膜晶體管代替無機(jī)薄膜晶體管（主要采用硅制造）作為大規(guī)模集成電路中的主要部件，是導(dǎo)致有機(jī)RFID的誕生及帶動(dòng)有機(jī)RFID迅速發(fā)展的主要關(guān)鍵技術(shù)之一。

有機(jī)薄膜晶體管的誕生

過去十多年來，具有光電特性的有機(jī)導(dǎo)電分子，以及高分子材料研發(fā)中有許多突破性的進(jìn)展。這些具有光電性質(zhì)的有機(jī)材料，不論是小分子、聚合物或是高分子聚合物，往往可以吸收、發(fā)射可見光及光電性質(zhì)，進(jìn)而催生出不同的應(yīng)用，其中最重要的包括有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Diode，簡稱OLED）、有機(jī)薄膜晶體管（Organic Thin Film Transistors，簡稱OTFT）。有機(jī)薄膜晶體管從廣義上來說是將傳統(tǒng)無機(jī)晶體管中的半導(dǎo)體層，用有機(jī)材料來取代，并進(jìn)一步以有機(jī)導(dǎo)體與塑料基板來取代無機(jī)導(dǎo)體和玻璃基板，完成可撓曲的有機(jī)薄膜晶體管。

在傳統(tǒng)的MOS組件制造上，一般是利用無機(jī)半導(dǎo)體材料硅作為主要材料。一般而言，硅是一種三度空間的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，強(qiáng)大的鍵能使得硅原子間形成緊密的三度空間聚集結(jié)構(gòu)，具有寬闊的價(jià)帶和導(dǎo)帶，從而具有相當(dāng)高的載流子遷移率。但是這種晶粒排列需要高溫、高成本的沉積方式來完成。

在有機(jī)半導(dǎo)體方面，包含小分子和高分子，從化學(xué)結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)來看，都含有非定域(delocalize)的π共軛電子; 且由其最高已占分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)及最低未占分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)的差距，可定義其為半導(dǎo)體或?qū)w。在形成半導(dǎo)體層時(shí)，分子多以集團(tuán)方式存在，分子與分子間僅以微弱的凡得華力相聯(lián)系，所以有機(jī)物的電特性，主要是由分子本身的結(jié)構(gòu)來決定。因此，如果分子間排列不夠完整，有機(jī)物的載流子傳輸就受限于分子間的傳導(dǎo)，而非分子本身共軛結(jié)構(gòu)的完整性，也因?yàn)榉肿娱g的鍵結(jié)合力小，相較于無機(jī)晶體，有機(jī)物的價(jià)帶與導(dǎo)帶就顯得相對狹窄; 有機(jī)分子載流子遷移率，其值可能偏小一些。但自從Koezuka等在1986年報(bào)道了基于電化學(xué)聚合的聚唾吩O(shè)FET（OTFT）器件，一般被認(rèn)為是真正意義上的可應(yīng)用于有機(jī)電子電路的基本單元器件，同時(shí)也被看做是第一次有關(guān)OFET器件的報(bào)道，從那時(shí)到現(xiàn)在短短的二十幾年時(shí)間里，有機(jī)薄膜晶體管的研究取得了巨大的進(jìn)展，其可以應(yīng)用于集成電路中有機(jī)薄膜晶體管的遷移率已經(jīng)提高到5cm2/Vs，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于非晶硅的遷移率（大約1cm2/Vs）。

有機(jī)薄膜晶體管擁有傳統(tǒng)無機(jī)薄膜晶體管不可比擬的優(yōu)點(diǎn): 有機(jī)材料可利用溶液進(jìn)行大面積旋涂、打印，降低制作的成本。相對于無機(jī)材料，有機(jī)材料可以在較低溫的條件下制作， 因此可選擇耐熱性較差的塑料基板，以制造質(zhì)輕、具韌性、可撓曲的電子器件。可撓基底、低成本、低溫制程，使得OTFT 可以應(yīng)用于低成本、大面積的軟性電子產(chǎn)品的機(jī)會大大提升。 例如作為開關(guān)元件應(yīng)用于大面積有源矩陣平板顯示領(lǐng)域AMLCD、AMOLED以及傳感器陣列,在需要柔性襯底的大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用，包括智能卡、智能價(jià)格及庫存標(biāo)簽、無線射頻識別標(biāo)簽、商品防盜標(biāo)簽以及電子條形碼等。

有機(jī)薄膜晶體管的基本原理

人們通常把半導(dǎo)體導(dǎo)電能力隨電場而變化的現(xiàn)象稱為“場效應(yīng)”。晶體管是一種三端子有源器件。它可以分為雙極型晶體管與單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管是單極型晶體管中的一種。按載流子傳輸通道可分為表面場效應(yīng)晶體管和體內(nèi)場效應(yīng)晶體管兩種，前者又分為MESFET(Metal-Semiconductor FET)和MISFET / MOSFET ( Metal-Insulator-Semiconductor FET /Metal-Oxide-Semiconductor FET )，后者又稱結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管(Junction-FET， JFET) 。 有機(jī)場效應(yīng)晶體管是利用有機(jī)半導(dǎo)體作為器件的有源制備的一種MOSFET。由于有機(jī)場效應(yīng)晶體管一般作為薄膜形式的器件，因此也被稱為有機(jī)薄膜晶體管。

有機(jī)薄膜晶體管基本上如同MOS晶體管一樣，是由一個(gè)柵極（Gate）、一個(gè)源極（Source）、一個(gè)漏極（Drain）的三端點(diǎn)電子組件組成。在MOS晶體管的三端點(diǎn)里，源極通常接地，而讓整個(gè)MOS晶體管的操作，由VGS(柵極電壓)與VDS(漏極電壓)來主導(dǎo)。其中VGS(柵極電壓)的大小將決定此晶體管的開關(guān)狀態(tài)，VDS(漏極電壓)則決定當(dāng)晶體管處于“開”的狀態(tài)時(shí)，流經(jīng)漏極，溝道(Channel)和源極的電流大小。按照產(chǎn)生的導(dǎo)電溝道的不同有機(jī)薄膜晶體管又可以分為n型、p型和雙極型。

研究近況及市場概況

目前世界各國都認(rèn)為有機(jī)RFID市場前景巨大。至于技術(shù)的發(fā)展，目前全球都還在探索階段。各國家、地區(qū)和機(jī)構(gòu)紛紛加大研發(fā)力度，尤其各國已經(jīng)有專門的公司進(jìn)行相關(guān)項(xiàng)目的投資。比如，美國Organic ID、IBM和德國PolyIC等公司。

美國的3M公司用一種便宜的導(dǎo)電塑料來替代傳統(tǒng)的硅晶體材料，這種材料名叫并五苯(Pentacene)。根據(jù)該公司公布的消息，利用并五苯作為芯片半導(dǎo)體材料的標(biāo)簽已經(jīng)可以被幾厘米外的讀取裝置識別。

OrganicID（Weyerhaeuser公司的子公司，主要生產(chǎn)可印刷的RFID塑料標(biāo)簽）計(jì)劃設(shè)計(jì)制作一種高分子標(biāo)簽，其工作頻率為13.56MHz。 2004年該公司已經(jīng)申請了有關(guān)NQS模式的低性能晶體管電路設(shè)計(jì)技術(shù)方面的專利。到了2004年12月份，該公司宣稱制作出了已經(jīng)滿足17MHz工作頻率的一種有機(jī)RFID標(biāo)簽。

2006年，德國PolyIC GmbH & Co.KG開發(fā)出了使用印刷和卷對卷技術(shù)生產(chǎn)的有機(jī)無線射頻識別標(biāo)簽，為數(shù)據(jù)保存集成了8位RFID標(biāo)簽，集成了數(shù)百個(gè)有機(jī)晶體管，有機(jī)晶體管使用的半導(dǎo)體為Poly-3-alkylthiophene（P3AT）。制作完成10個(gè)月后其特性仍未出現(xiàn)下降。因此，該公司認(rèn)為這種無線標(biāo)簽?zāi)軌虼_保1年以上的元件壽命。

2007年6月，PolyIC又開發(fā)出32位和64位存儲有機(jī)RFID標(biāo)簽，工作頻率為13.56MHz。

另外近期有機(jī)整流器方面也有較大的突破。比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2006年已開發(fā)出激活無源RFID標(biāo)簽的有機(jī)整流二極管，該二極管的工作頻率高達(dá)50 MHz。

日前韓國順天（Sunchon）國立大學(xué)化學(xué)工程學(xué)教授Cho Kyu-jin和他的開發(fā)團(tuán)隊(duì)利用百分之百的有機(jī)傳導(dǎo)材料開發(fā)出了一款芯片，這款新開發(fā)的芯片可以用來制造無線射頻識別技術(shù)產(chǎn)品。利用噴墨打印技術(shù)，最終將生產(chǎn)出的無線射頻識別技術(shù)產(chǎn)品的成本減少為十分之一，將每個(gè)識別標(biāo)簽的價(jià)格降至0.004美元。

美國市場研究公司NanoMarkets稱，目前在印刷電子市場，RFID占的份額基本上可以忽略不計(jì)，但到2014年將增長到30％。NanoMarkets表示，2012年有機(jī)RFID市場將達(dá)到45億美元。2015年，使用有機(jī)電路的RFID市場規(guī)模將達(dá)到116億美元。

目前，采用有機(jī)RFID標(biāo)簽的應(yīng)用已經(jīng)在國外出現(xiàn)，剛剛結(jié)束的2007年德國有機(jī)電子大會(OEC-07)成功地在其大會票證上采用了印刷式有機(jī)RFID標(biāo)簽。標(biāo)簽內(nèi)存為4個(gè)字節(jié)，運(yùn)行頻率為13.56MHz，由PolyIC提供。PolyIC稱其兩款印刷式有機(jī)RFID標(biāo)簽?zāi)壳罢糜谝恍┰圏c(diǎn)項(xiàng)目，用量達(dá)10萬個(gè)。

自從1997年第一個(gè)完全由高分子制備的有機(jī)RFID標(biāo)簽誕生以來，有機(jī)RFID技術(shù)已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室取得巨大的進(jìn)步。歐美各國宣稱，有機(jī)RFID技術(shù)將很快走出實(shí)驗(yàn)室，進(jìn)入市場，與無機(jī)RFID相媲美。目前，部分銷售打印有機(jī)RFID標(biāo)簽的公司在國外已經(jīng)開始出現(xiàn)。近期發(fā)展趨勢雖然還是以發(fā)展無機(jī)RFID技術(shù)為主，但從長遠(yuǎn)發(fā)展看，有機(jī)RFID有可能成為將來主導(dǎo)各行業(yè)信息處理的關(guān)鍵技術(shù)之一。

應(yīng)用前景廣闊

面對新穎的有機(jī)RFID技術(shù)，歐美等大國一如既往地追逐及投資具有巨大市場潛力的新技術(shù)，新加坡及韓國都已明確指出要重點(diǎn)發(fā)展包括有機(jī)電子標(biāo)簽技術(shù)及應(yīng)用的項(xiàng)目，而中國的大部分企業(yè)一直處于觀望的狀態(tài)，雖然目前已經(jīng)開始嘗試無機(jī)RFID在一些領(lǐng)域的應(yīng)用示范，但在技術(shù)基礎(chǔ)方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于歐美各國，加之標(biāo)準(zhǔn)待確立和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱，諸多因素制約著RFID技術(shù)在中國這個(gè)世界最具潛力的消費(fèi)市場難以大規(guī)模運(yùn)行。如果有機(jī)RFID的研究及應(yīng)用方面遲遲不肯投資，在未來新崛起的有機(jī)RFID產(chǎn)業(yè)里又必將落后于歐美、日韓和新加坡等國。只有在快要占領(lǐng)市場的有機(jī)RFID技術(shù)方面盡早投入，將來才可能分得一杯羹。

鏈接

RFID的發(fā)展歷程

RFID技術(shù)其實(shí)是繼承了雷達(dá)的概念，并由此發(fā)展出的一種生機(jī)勃勃的自動(dòng)識別技術(shù)。1948年哈里•斯托克曼發(fā)表的“利用反射功率的通信”奠定了RFID的理論基礎(chǔ)。 20世紀(jì)中期無線電技術(shù)的理論與應(yīng)用研究是科學(xué)技術(shù)發(fā)展最重要的成就之一。

RFID技術(shù)的發(fā)展可按10年期劃分如下:

1941～1950年。雷達(dá)的改進(jìn)和應(yīng)用催生了RFID技術(shù)，1948年奠定了RFID技術(shù)的理論基礎(chǔ)。

1951～1960年。早期RFID技術(shù)的探索階段，主要是實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)研究。

1961～1970年。RFID技術(shù)的理論得到了發(fā)展，開始了一些應(yīng)用嘗試。

1971～1980年。RFID技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)處于一個(gè)大發(fā)展時(shí)期，各種RFID技術(shù)測試得到加速。出現(xiàn)了一些最早的RFID應(yīng)用。

1981～1990年。RFID技術(shù)及產(chǎn)品進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用階段，各種規(guī)模的應(yīng)用開始出現(xiàn)。

1991～1997年。RFID技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化問題日趨得到重視，RFID產(chǎn)品得到廣泛采用，RFID產(chǎn)品逐漸成為人們生活中的一部分。

1997年，第一個(gè)完全由高分子制備的有機(jī)RFID標(biāo)簽誕生。

2000年，RFID標(biāo)準(zhǔn)化文件出現(xiàn)。

2001年至今。標(biāo)準(zhǔn)化問題日趨為人們所重視，RFID產(chǎn)品種類更加豐富，有源電子標(biāo)簽、 無源電子標(biāo)簽及半無源電子標(biāo)簽均得到發(fā)展，電子標(biāo)簽成本不斷降低，規(guī)模應(yīng)用行業(yè)擴(kuò)大。

第4篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

【論文摘要】：圖像傳感器產(chǎn)品就成為當(dāng)前以及未來業(yè)界關(guān)注的對象，吸引著眾多廠商投入。以產(chǎn)品類別區(qū)分，圖像傳感器產(chǎn)品主要分為CCD、CMOS以及CIS傳感器三種。文章主要概述了CMOS圖像傳感器的工作原理和優(yōu)勢，介紹了現(xiàn)階段傳感器的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。

圖像傳感器屬于光電產(chǎn)業(yè)里的光電元件類，隨著數(shù)碼技術(shù)、半導(dǎo)體制造技術(shù)以及網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展，目前市場和業(yè)界都面臨著跨越各平臺的視訊、影音、通訊大整合時(shí)代的到來，勾劃著未來人類的日常生活的美景。以其在日常生活中的應(yīng)用，無疑要屬數(shù)碼相機(jī)產(chǎn)品，其發(fā)展速度可以用日新月異來形容。短短的幾年，數(shù)碼相機(jī)就由幾十萬像素，發(fā)展到400、500萬像素甚至更高。不僅在發(fā)達(dá)的歐美國家，數(shù)碼相機(jī)已經(jīng)占有很大的市場，就是在發(fā)展中的中國，數(shù)碼相機(jī)的市場也在以驚人的速度在增長，因此，其關(guān)鍵零部件--圖像傳感器產(chǎn)品就成為當(dāng)前以及未來業(yè)界關(guān)注的對象，吸引著眾多廠商投入。以產(chǎn)品類別區(qū)分，圖像傳感器產(chǎn)品主要分為CCD、CMOS以及CIS傳感器三種。文章將主要簡介CMOS傳感器的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。

1.CMOS圖像傳感器

CMOS圖像傳感器于80年明以來，由于當(dāng)時(shí)CMOS工藝制程的技術(shù)不高，以致于傳感器在應(yīng)用中的雜訊較大，商品化進(jìn)程一直較慢。時(shí)至今日，CMOS傳感器的應(yīng)用范圍也開始非常的廣泛，包括數(shù)碼相機(jī)、PCCamera、影像電話、第三代手機(jī)、視訊會議、智能型保全系統(tǒng)、汽車倒車?yán)走_(dá)、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等用途。在低檔產(chǎn)品方面，其畫質(zhì)質(zhì)量已接近低檔CCD的解析度，相關(guān)業(yè)者希望用CMOS器件取代CCD的努力正在逐漸明朗。CMOS傳感器有可細(xì)分為：被動(dòng)式像素傳感器CMOS與主動(dòng)式像素傳感器CMOS。

CMOS圖像傳感器是多媒體產(chǎn)品中不可或缺的重要器件之一，也是數(shù)碼相機(jī)、監(jiān)控設(shè)備、圖像采集設(shè)備中的核心器件。CMOS的全稱是ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，有"互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體"的意思。隨著數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)相機(jī)的興起以及對圖像質(zhì)量要求的不斷提高，更加突顯了圖像傳感器的重要作用。

2.CMOS圖像傳感器的工作原理

CMOS采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，感光元件的核心都是一個(gè)感光二極管，該二極管在接受光線照射之后能夠產(chǎn)生輸出電流，而電流的強(qiáng)度則與光照的強(qiáng)度對應(yīng)但在周邊組成上。CMOS感光元件的構(gòu)成就比較復(fù)雜，除處于核心地位的感光二極管之外，它還包括放大器與模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，每個(gè)像點(diǎn)的構(gòu)成為一個(gè)感光二極管和三顆晶體管，而感光二極管占據(jù)的面積只是整個(gè)元件的一小部分，造成CMOS傳感器的開口率遠(yuǎn)低（開口率：有效感光區(qū)域與整個(gè)感光元件的面積比值）；這樣CMOS感光元件所能捕捉到的光信號明顯小于，靈敏度較低；體現(xiàn)在輸出結(jié)果上，就是CMOS傳感器捕捉到的圖像內(nèi)容不太豐富，圖像細(xì)節(jié)丟失情況嚴(yán)重且噪聲明顯，這也是早期CMOS傳感器只能用于低端場合的一大原因。CMOS開口率低造成的另一個(gè)麻煩在于，隨著它的像素點(diǎn)密度的提高，感光元件的比重面積將因此縮小，而CMOS開口率太低，有效感光區(qū)域小得可憐，圖像細(xì)節(jié)丟失情況會愈為嚴(yán)重。這也是CMOS長期以來都未能進(jìn)入主流數(shù)碼相機(jī)市場的重要原因之一。

3.CMOS圖像傳感器的優(yōu)勢

CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集成在半導(dǎo)體單晶材料上，而CMOS是集成在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料上，工作原理沒有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個(gè)廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價(jià)格都會相對比較貴。事實(shí)上經(jīng)過技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實(shí)際效果的差距已經(jīng)減小了不少。

⑴與CCD相比，CMOS具有體積小，耗電量不到CCD的1/10，售價(jià)也比CCD便宜1/3的優(yōu)點(diǎn)。

⑵與CCD產(chǎn)品相比，CMOS是標(biāo)準(zhǔn)工藝制程，可利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備，不需額外的投資設(shè)備，且品質(zhì)可隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升而進(jìn)步。同時(shí)，全球晶圓廠的CMOS生產(chǎn)線較多，日后量產(chǎn)時(shí)也有利于成本的降低。

⑶CMOS傳感器具有高度系統(tǒng)整合的條件。理論上，所有圖像傳感器所需的功能，例如垂直位移、水平位移暫存器、時(shí)序控制、CDS、ADC…等，都可放在集成在一顆晶片上，甚至于所有的晶片包括后端晶片、快閃記憶體等也可整合成單晶片，以達(dá)到降低整機(jī)生產(chǎn)成本的目的。

4.高速圖像傳感器的市場趨勢

目前，CMOS是高速成像所青睞的技術(shù)。在當(dāng)前市場中，我們可以發(fā)現(xiàn)高速圖像傳感器有三大發(fā)展趨勢，一是向極高速方向發(fā)展，二是向片上特性集成方向發(fā)展，三是向通用高速圖像傳感器方向發(fā)展。高速成像領(lǐng)域還有另一種趨勢，就是把高速ADC、時(shí)序發(fā)生器、LVDS發(fā)射器和校正算法的片上集成趨勢。這種圖像傳感器通常在速度和靈敏度方面不如上述圖像傳感器，但在易用性和系統(tǒng)集成功能方面頗有長處。目前市場上新興的第三種圖像傳感器就是通用高速圖像傳感器。具有模擬輸出或不具有時(shí)序發(fā)生器功能的老式(簡單式)通用圖像傳感器正在被速度更快、更復(fù)雜的圖像傳感器所取代。這種新型圖像傳感器使我們能在較短時(shí)間內(nèi)就設(shè)計(jì)出通用高速攝像頭。

從產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展趨勢看，，體積小型化及高像素化仍是業(yè)界積極研發(fā)的目標(biāo)。因?yàn)橄袼卮髣t圖像產(chǎn)品的分辨率越高，清晰度越好，體積越小，其應(yīng)用面更廣泛。

參考文獻(xiàn)

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第5篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

半導(dǎo)體不相信預(yù)言，這也許會成為2013年半導(dǎo)體企業(yè)在走過這一年后的集體感悟，畢竟走過從2008年金融危機(jī)之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就一直在跌宕起伏中艱難前行。沒有了之前幾年為一個(gè)周期習(xí)慣性震蕩，也沒有了震蕩后持續(xù)幾年的快速增長，連指揮幾十年的摩爾定律都已經(jīng)看得到壽終正寢的那一刻了。面對這樣的煙鎖重樓，誰又愿意去被那些所謂的預(yù)言家霧里看花般的預(yù)測所指引，惟有靠自己去感悟市場與技術(shù)的脈搏，摸著石頭過河希望自己能早點(diǎn)上岸。

半導(dǎo)體不相信預(yù)言，2011年，許多人預(yù)測行業(yè)悲觀，結(jié)果行業(yè)增長3%左右，差強(qiáng)人意。2012年普遍預(yù)測行業(yè)微漲2%，結(jié)果全行業(yè)平均下跌了2%左右。這樣的預(yù)言，分析咨詢公司一定會繼續(xù)每年甚至每季度堅(jiān)持做下去，但是，半導(dǎo)體公司也必須明白一點(diǎn)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展如何并不意味著自己的發(fā)展會如何，公司業(yè)績受整體行業(yè)發(fā)展態(tài)勢的影響會越來越小，更多的將會是具體某個(gè)公司是否能夠適應(yīng)自己所在市場的競爭，并且選擇卓有成效的戰(zhàn)略去爭取自身更好地發(fā)展。換言之，如今的大環(huán)境下，半導(dǎo)體企業(yè)的命運(yùn)，把握在自己手上，而不再受整個(gè)市場的發(fā)展所限制。

為何要這么說，看看某分析公司提供的2012年半導(dǎo)體公司20強(qiáng)榜單，除了6家增長之外，其他14家的銷售額均有所下滑，但是這份榜單的詭異之處就在于，除了坑人的存儲器行業(yè)集體下滑之外（三星除外），其他的領(lǐng)域你總是能發(fā)現(xiàn)有些企業(yè)增長有些企業(yè)下滑。這就說明，在每個(gè)領(lǐng)域，只要你做得足夠好，一樣可能逆勢上揚(yáng)；而如果你做得不夠好，即使你身處最光明的產(chǎn)業(yè)，一樣需要面對業(yè)績下滑的命運(yùn)。2013年的半導(dǎo)體市場，沒有一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域可以確保你只漲不跌，同樣沒有一個(gè)領(lǐng)域拒絕提供你壯大自己的機(jī)會，關(guān)鍵在于企業(yè)自己是否能夠找準(zhǔn)機(jī)遇，并且做好應(yīng)對殘酷的產(chǎn)業(yè)環(huán)境的準(zhǔn)備。

半導(dǎo)體不相信預(yù)言，因?yàn)檫B續(xù)兩年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況讓我們不得不去面對任何可能發(fā)生的產(chǎn)業(yè)形勢變化。連續(xù)兩年，很多企業(yè)面對的情況是，前半年訂單表現(xiàn)非常出色，但是二季度末開始，整個(gè)市場需求明顯下滑，最終的結(jié)果造成年底的整體表現(xiàn)琢磨不定。面對這樣無法理解的產(chǎn)業(yè)形勢，任何年初的預(yù)期需要不停的調(diào)整自己的預(yù)測，與其相信這些預(yù)測，不如相信自己的客戶，相信自己的產(chǎn)品，相信自己的戰(zhàn)略和努力。

不過，半導(dǎo)體已經(jīng)發(fā)展成一個(gè)超過3000億規(guī)模的龐大市場，而電子信息技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)依然會給半導(dǎo)體足夠多的機(jī)遇和足夠長的成長時(shí)間。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2010年以后人類主要的經(jīng)濟(jì)增長驅(qū)動(dòng)力中，絕大多數(shù)與電子信息技術(shù)有關(guān)，其中90%的增長受益于電子信息技術(shù)的創(chuàng)新，而現(xiàn)有創(chuàng)新的起源，還是要?dú)w結(jié)到那些跑在小小芯片里的電信號。我們惟一需要適應(yīng)的一點(diǎn)是，半導(dǎo)體已經(jīng)發(fā)展得足夠成熟，這個(gè)市場不會再出現(xiàn)在幾年時(shí)間內(nèi)的兩位數(shù)年復(fù)合增長率。作為一個(gè)已經(jīng)成熟的正午產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體會持續(xù)釋放著其對整個(gè)信息化地球的影響力，并成為人們生活中最不起眼卻又最不可或缺的產(chǎn)品。而這幾年的持續(xù)震蕩，并不僅僅是經(jīng)濟(jì)形勢影響半導(dǎo)體的發(fā)展，更重要的是，半導(dǎo)體要適應(yīng)從朝陽走到正午的一個(gè)轉(zhuǎn)變，當(dāng)這個(gè)產(chǎn)業(yè)增速不再如此迅猛，當(dāng)摩爾定律看似走到了末路，當(dāng)人們已經(jīng)習(xí)慣了硬件不過是一種基礎(chǔ)的工具，當(dāng)半導(dǎo)體的利潤不再高企……這些不適應(yīng)造成的影響其實(shí)早就該發(fā)生，只是2008年的金融危機(jī)提前讓這個(gè)時(shí)間點(diǎn)到來。也許，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，現(xiàn)在這樣的產(chǎn)業(yè)頻繁震蕩只是走上新的正常道路之前必不可少的陣痛和調(diào)整期，需要在這樣的痛苦中洗卻之前多年養(yǎng)成的一些壞習(xí)慣和舊思維，換個(gè)想法，重裝上路。

細(xì)微的應(yīng)用方面，我們依然能夠看到一些注定在2013年會成為半導(dǎo)體增長的主要驅(qū)動(dòng)力的技術(shù)與應(yīng)用，首當(dāng)其沖的就是智能手機(jī)與平板電腦為主的移動(dòng)便攜信息設(shè)備。十幾年之前，你想不到剛剛成立的高通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)可以這么快的超越他們視為最大競爭對手的TI，而現(xiàn)在這個(gè)超越已經(jīng)不是僅僅在手機(jī)芯片業(yè)務(wù)部分，而是實(shí)現(xiàn)公司層面的超越，十幾年之前，蘋果還被認(rèn)為是公司岌岌可危的垃圾股票，現(xiàn)在即使到了600美元還依然受熱捧。在推動(dòng)蘋果成為全球市值第一的公司以及助力高通市值超過Intel之后，在2013年的移動(dòng)信息處理大戰(zhàn)中，再塑造出一兩個(gè)里程碑式的事件，也不會是什么新聞了。惟一可以肯定的是，移動(dòng)信息處理大戰(zhàn)在2013年注定成為半導(dǎo)體市場最吸引眼球之處，并極有可能成為改變整個(gè)產(chǎn)業(yè)格局的推手。畢竟，在這場戰(zhàn)役中下重注的，包括了前20強(qiáng)中的7家，以及可能再闖進(jìn)來的AMD。而前20強(qiáng)中的絕大部分，這幾年都會受益于智能手機(jī)的快速成長。

除去智能手機(jī)，還有很多市場在冉冉升起，或者即使傳統(tǒng)已經(jīng)很成熟的市場，一樣是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，比如電源管理的能效要求，比如MCU的更新?lián)Q代，比如新能源市場的浮塵，比如電動(dòng)汽車的撲朔迷離。在今年的新年展望專題中，我們將繼續(xù)邀請半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，與我們一起暢談對各自專注領(lǐng)域2013年的發(fā)展預(yù)測，與之前不同的是，今年我們將分不同的技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行綜合性報(bào)道，請大家與我們一起，走進(jìn)2013，腳踏實(shí)地去感受自己身邊的半導(dǎo)體市場。

來自半導(dǎo)體企業(yè)的聲音

2013年，擺在各個(gè)半導(dǎo)體企業(yè)面前的，將是一張沒有標(biāo)準(zhǔn)答案的問卷，面對一個(gè)琢磨不定的半導(dǎo)體市場，每位應(yīng)試者需要做的，就是立足自身的技術(shù)優(yōu)勢，抓住自己所在產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇，給出自己認(rèn)為最合適的答案，而評判的標(biāo)準(zhǔn)，也只有到明年這個(gè)時(shí)候才會看得出誰的發(fā)揮更出色。

聲音之TI

無論市場前景如何，TI 正在超低功耗處理及信號調(diào)節(jié)、能源管理、云計(jì)算、安全與安防以及醫(yī)療等領(lǐng)域推進(jìn)技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)品創(chuàng)新。TI 始終致力于同客戶、行業(yè)聯(lián)盟以及大專院校密切合作，不斷開發(fā)差異化產(chǎn)品，改進(jìn)我們的工作、生活及娛樂方式，并滿足當(dāng)前及未來的需求。TI 一直致力于打造更智能、更安全、更環(huán)保、更健康以及更精彩的生活，謝兵從應(yīng)用角度看，3G、物聯(lián)網(wǎng)、LED顯示與照明、汽車、太陽能利用、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、下一代寬帶、手持醫(yī)療設(shè)備、低功耗無線系統(tǒng)等都是很有發(fā)展?jié)摿Φ膽?yīng)用領(lǐng)域。

2013年，TI仍會以模擬和嵌入式處理為重點(diǎn)展開業(yè)務(wù)。一方面，TI會在傳統(tǒng)的工業(yè)、通信、消費(fèi)電子、醫(yī)療電子等行業(yè)繼續(xù)投入，另一方面，中國十二五規(guī)劃的新興產(chǎn)業(yè)確定了七大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，包括節(jié)能環(huán)保、新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、新能源、新材料、新能源汽車等，在這些戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中，DSP、MCU以及模擬器件都有著廣泛的應(yīng)用前景。無論是技術(shù)還是產(chǎn)品，最重要的是TI始終堅(jiān)持以客戶需求為導(dǎo)向的創(chuàng)新，為客戶提供完整的解決方案，幫助客戶開發(fā)出各種終端應(yīng)用以滿足消費(fèi)者的需要。為此，TI成立了Kilby實(shí)驗(yàn)室、太陽能實(shí)驗(yàn)室、LED實(shí)驗(yàn)室以及馬達(dá)實(shí)驗(yàn)室，借此向客戶提供全球一流的解決方案，幫助客戶應(yīng)對在中國及全球市場的挑戰(zhàn)。

聲音之英飛凌

回顧2012年，中國市場經(jīng)濟(jì)增速減緩。而展望2013年，傳統(tǒng)行業(yè)市場的不確定性或許將繼續(xù)，這確實(shí)是電子產(chǎn)業(yè)充滿挑戰(zhàn)的一年，其中的挑戰(zhàn)主要包括：

成本的上升造成低附加值制造業(yè)的競爭力下降；

針對中國部分出口產(chǎn)品（例如太陽能電池板等）的反傾銷和反補(bǔ)貼稅措施；

部分行業(yè)分布零散，規(guī)劃和管制力度不足，影響了本地產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度和規(guī)模；

缺乏技術(shù)人才和優(yōu)質(zhì)知識產(chǎn)權(quán)阻礙了創(chuàng)新實(shí)力，因此削弱了中國在高附加值產(chǎn)業(yè)的競爭力。

雖然面臨這些挑戰(zhàn)，但中國市場的規(guī)模及發(fā)展?jié)摿θ詾殡娮赢a(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了巨大機(jī)會。作為業(yè)者，如果能找到適合的解決方案，利用市場的優(yōu)勢，規(guī)避薄弱環(huán)節(jié)，這些挑戰(zhàn)也許會成為發(fā)展的機(jī)會。而要應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們也可以從政策扶持、拉動(dòng)內(nèi)需、鼓勵(lì)創(chuàng)新以及培養(yǎng)和儲備人才等幾個(gè)方面著手。

在2013年，市場的主要增長驅(qū)動(dòng)將來自市場創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新，另一方面來自于環(huán)保的需求及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化和法規(guī)的實(shí)施。值得期待的產(chǎn)品和技術(shù)應(yīng)用包括：

（1）32位多核車用微處理器，執(zhí)行速度更快；

（2）汽車行業(yè)ISO26262體系的實(shí)施，使得車輛更安全；

（3）IGBT的產(chǎn)品市場細(xì)分及更廣泛的應(yīng)用啟動(dòng)

（4）更精細(xì)的半導(dǎo)體線寬和更大直徑的晶圓工藝和技術(shù)，會使單個(gè)IC產(chǎn)品成本更低。

同時(shí)，我們認(rèn)為如下市場將值得大家關(guān)注：移動(dòng)互聯(lián)，云計(jì)算，新能源 ，個(gè)性化消費(fèi)類產(chǎn)品，電子支付和汽車電子。

聲音之ADI

展望2013年，我們認(rèn)為新能源、汽車電子以及消費(fèi)類醫(yī)療這些細(xì)分市場值得密切關(guān)注。

新能源：在中國工業(yè)市場，尤其是新能源領(lǐng)域，包括能源運(yùn)輸、分配、儲備方式等。節(jié)能環(huán)保的新能源是中國十二五規(guī)劃產(chǎn)業(yè)升級的重點(diǎn)。中國風(fēng)電機(jī)組裝機(jī)容量近年迅速增長，太陽能光伏發(fā)電成長空間巨大，逆變器供不應(yīng)求。在利用半導(dǎo)體技術(shù)來極大地改善電能傳輸和分配以及開發(fā)新的可再生能源（如風(fēng)能和太陽能）方面，中國蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。根據(jù)行業(yè)內(nèi)預(yù)測，到2020年，中國的電力需求將翻一番。這一增長意味著對各種新產(chǎn)品的需求也將增長，包括智能電表、電站更新?lián)Q代、太陽能和風(fēng)力發(fā)電廠與傳輸設(shè)備以及超高壓輸電線路。在新能源的建設(shè)中，所面臨的關(guān)鍵問題有很多，其中提高光伏逆變效率、新能源并網(wǎng)接入、低電壓穿越、大容量能量存儲、特高壓輸電、需求側(cè)管理及智能計(jì)量技術(shù)等應(yīng)該是業(yè)界比較關(guān)注的關(guān)鍵點(diǎn)。

汽車電子：在汽車領(lǐng)域，越來越多的中國公司非常關(guān)注混合電動(dòng)汽車和純電動(dòng)汽車。兩三年前，電動(dòng)汽車的發(fā)展還僅僅停留在測試階段，而現(xiàn)在他們不僅追求安全標(biāo)準(zhǔn)和特色設(shè)置，還包括先進(jìn)的駕駛輔助系統(tǒng)。

消費(fèi)類醫(yī)療電子：國內(nèi)消費(fèi)類醫(yī)療市場潛力巨大，競爭對手越來越多。家用醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備在技術(shù)上的發(fā)展趨勢概括起來就是“更便攜、更安全、更低耗、更智能，以及更高診斷級的性能”。隨著健康意識的普及以及家用醫(yī)療設(shè)備技術(shù)的不斷革新和制造成本的不斷降低，家用醫(yī)療設(shè)備，尤其是以預(yù)防監(jiān)測為主的家用醫(yī)療設(shè)備將面向所有用戶群，成為人們生活中的必需品。另外，隨著醫(yī)療基礎(chǔ)的不斷成熟，診斷級的家庭醫(yī)療設(shè)備亦將得到快速發(fā)展。除了傳統(tǒng)的個(gè)人醫(yī)療電子設(shè)備如血壓計(jì)、血糖儀之外，其他新的技術(shù)和應(yīng)用，例如針對個(gè)人和家庭應(yīng)用的生命體征信號測量等，也將帶動(dòng)未來的便攜式醫(yī)療電子設(shè)備市場的發(fā)展。我們預(yù)計(jì)未來個(gè)人監(jiān)護(hù)與診斷以及運(yùn)動(dòng)狀態(tài)監(jiān)測等設(shè)備也會走入家庭和個(gè)人應(yīng)用場合。我們有理由相信這些新興的醫(yī)療電子應(yīng)用的出現(xiàn)，不久的將來會給我們的生活帶來深遠(yuǎn)的影響。

聲音之富士通半導(dǎo)體

由于全球主要市場的經(jīng)濟(jì)減弱，富士通半導(dǎo)體亞太區(qū)市場副總裁鄭國威對于2013的整體半導(dǎo)體市場發(fā)展持較謹(jǐn)慎態(tài)度，由于政策引導(dǎo)和市場環(huán)境所致，新能源、LED照明、物聯(lián)網(wǎng)、4G、手持移動(dòng)設(shè)備， 家電，汽車電子，智能電表和照相相關(guān)應(yīng)用等會成為2013年的熱點(diǎn)技術(shù)應(yīng)用。他強(qiáng)調(diào)，富士通將持續(xù)保持“輕晶圓”的公司策略，減少對于不具競爭力產(chǎn)品的投資，加大投資和研發(fā)符合市場需求的有競爭力的產(chǎn)品。

在新能源汽車是2013年一個(gè)值得關(guān)注的應(yīng)用，存在三大技術(shù)挑戰(zhàn)：一需要設(shè)計(jì)一個(gè)更加高效的電池管理系統(tǒng)；二如何預(yù)測和提高電池系統(tǒng)的使用壽命問題；戰(zhàn)三：在電機(jī)和電控的核心研發(fā)上，需要提高開發(fā)效率和提升安全規(guī)格。富士通半導(dǎo)體提供多種針對性解決方案，助力新能源汽車的快速平穩(wěn)安全發(fā)展。

聲音之安森美

從總體上講，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正趨向成熟，其增長與全球GDP增長密切相關(guān)，整體長期年復(fù)合增長率（CAGR）將只有個(gè)位數(shù)，使競爭加劇及企業(yè)整合增多。由于全球經(jīng)濟(jì)放緩及商/OEM庫存持續(xù)耗盡，2012年半導(dǎo)體銷售收入預(yù)計(jì)將下降超過4%。預(yù)計(jì)2013年開始逐漸復(fù)蘇.，估計(jì)增長率為1.5%。

安森美半導(dǎo)體的策略是積極推動(dòng)高能效電子的創(chuàng)新。主要市場動(dòng)力就來自汽車、通信及消費(fèi)等領(lǐng)域。移動(dòng)醫(yī)療和建筑物自動(dòng)化等市場的增長前景也看好。另外，在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，Windows 8及超級本預(yù)計(jì)將刺激市場需求。

公司將繼續(xù)與全球客戶密切合作，開發(fā)及提供符合客戶不斷演變之需求的產(chǎn)品，從復(fù)雜的混合信號ASIC到標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品構(gòu)建模塊及電源模塊等，以構(gòu)成完整的系統(tǒng)方案。

在通信市場，智能手機(jī)、平板電腦和4G網(wǎng)絡(luò)部署推動(dòng)增長。而在消費(fèi)市場，世界各國更加注重提升消費(fèi)類白家電產(chǎn)品以及電視產(chǎn)品的能效，如房間空調(diào)、洗衣機(jī)和電冰箱等消費(fèi)類白家電將持續(xù)轉(zhuǎn)向采用變速電機(jī)以提升能效，進(jìn)而獲取更大市場份額；同時(shí)，“智能”及“連接型”消費(fèi)類設(shè)備將迎來更大發(fā)展。此外，向移動(dòng)醫(yī)療過渡的趨勢將推動(dòng)醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域的增長，建筑物自動(dòng)化領(lǐng)域的半導(dǎo)體成分也在快速增加進(jìn)而推動(dòng)市場增長。

聲音之Intersil

2013年，就全球而言，主要推動(dòng)力可能會是智能化和市場分層細(xì)化，這倆點(diǎn)會為市場的消費(fèi)類電子增加更多效益，主要應(yīng)用仍會是智能消費(fèi)電子、安防、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域， Intersil公司中國/香港總經(jīng)理陳宇作為模擬半導(dǎo)體廠商，在這幾方面都有涉獵，會繼續(xù)開發(fā)客戶需求的產(chǎn)品，以創(chuàng)新迎接新的挑戰(zhàn)。2013年Intersil仍會繼續(xù)關(guān)注LED照明、汽車電子、智能消費(fèi)電子、安防監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用，這些領(lǐng)域需要與其他客戶進(jìn)行不斷的磨合協(xié)調(diào)溝通，才能做出非常優(yōu)秀的解決方案或者產(chǎn)品，例如大家所熟知的SLOC產(chǎn)品解決方案，這個(gè)就是我們與合作伙伴共同努力打造的生態(tài)系統(tǒng)。

聲音之ARM

整個(gè)嵌入式市場現(xiàn)在大家都在談?wù)撐锫?lián)網(wǎng)，包括智能電網(wǎng)，智能交通，智能家居，智慧農(nóng)業(yè)等。對于終端設(shè)備或者終端節(jié)點(diǎn)而言，都離不開MCU的支持，包括與傳感器的連接，系統(tǒng)的控制相應(yīng)，與上層云計(jì)算的通訊連接等。ARM的MCU內(nèi)核在開發(fā)過程中一直非常注意Energy Efficiency以及Easy of Use的設(shè)計(jì)理念，比如我們在2012年3月份推出的Cortex-M0+內(nèi)核，在Cortex-M0的基礎(chǔ)上針對這些需求全新設(shè)計(jì)了包括2級流水線，Micro Trace Bufer以及單指令周期的I/O總線，使用起來更加方便靈活，同時(shí)與傳統(tǒng)的8/16位內(nèi)核相比具備更高的能效表現(xiàn)。

UMC：制程的特性遷移比邏輯遷移重要

——因?yàn)橹袊鳬C設(shè)計(jì)業(yè)：20%要快，80%要深

中國IC市場有些特質(zhì)：快、多、低、短。即比海外市場反應(yīng)快得多；客戶群多；要求低價(jià)/超低價(jià)；產(chǎn)品生命周期較短，例如海外有些市場要保證IC用十年。

因此，代工廠要專攻這些特點(diǎn)。聯(lián)華電子（UMC）副總經(jīng)理王國雍分析說，中國500多種本土IC設(shè)計(jì)中，真正需要先進(jìn)制程（28和40nm）的不會超過兩成，智能電表、智能卡等八成的大批量產(chǎn)品需要主流節(jié)點(diǎn)，但特性（speciality）要到位、每個(gè)節(jié)點(diǎn)挖掘得夠深。像智能卡要eFlash，性價(jià)比合理。還有小型DDI（顯示驅(qū)動(dòng)IC）領(lǐng)域，有HVGA（162nm）、WVGA/ qHD（130/110nm）、HD/WXGA（80nm）、 Full HD（55nm），市場需要這四種產(chǎn)品同時(shí)存在，最佳性價(jià)比的制程節(jié)點(diǎn)也是不同的。

從代工廠角度來看，如果只是邏輯上跟著先進(jìn)制程遷移也不容易賺到錢，還要注意特性的遷移。據(jù)悉，UMC現(xiàn)在的量產(chǎn)制程能力涵蓋從0.5um到 28nm，同時(shí)14nm制程也已經(jīng)在研發(fā)當(dāng)中。 “UMC不是最先進(jìn)入28nm量產(chǎn)的代工廠，也不是最低價(jià)格的?！蓖鯂赫f，“但是對性價(jià)比要求最嚴(yán)苛的中國和亞太地區(qū)卻占UMC總營收的47%，高于一些國際著名代工廠。因?yàn)閁MC能夠幫助客戶找到最佳性價(jià)比平衡點(diǎn)，協(xié)助客戶同時(shí)提升競爭力和獲利能力。”

FPGA：將革ASIC的命進(jìn)行到底

在2011年底的時(shí)候，某測試領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)始人談到對2012年的電子市場最大的期待時(shí)，唯一提到的產(chǎn)品就是集成ARM核的FPGA，這足以讓我們感受到整個(gè)產(chǎn)業(yè)對FPGA產(chǎn)品的足夠關(guān)注，在最近幾年的半導(dǎo)體市場中，你很難找到一個(gè)產(chǎn)品種類像FPGA那樣蓬勃的發(fā)展，借助自身獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，對傳統(tǒng)ASIC發(fā)起了極大的挑戰(zhàn)。

靈活化的設(shè)計(jì)與個(gè)性化的需求，這是每個(gè)電子設(shè)計(jì)者與消費(fèi)者共同的需求，在與ASIC 競爭的時(shí)候，F(xiàn)PGA 特有的靈活性、可升級能力所帶來的成本效益（沒有NRE或昂貴的重制費(fèi)用）以及差異化的生產(chǎn)力和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間，是最明顯的優(yōu)勢。

2013年，F(xiàn)PGA無疑將繼續(xù)展現(xiàn)其獨(dú)特的魅力，當(dāng)幾家FPGA企業(yè)紛紛計(jì)劃將FPGA+ARM的全新技術(shù)結(jié)構(gòu)付諸實(shí)現(xiàn)之際，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)又將迎來全新的一次革命。作為緊跟制程的幾個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品之一，高性能高密度的FPGA在2013年將全面向20nm工藝進(jìn)軍，F(xiàn)PGA在工藝上的領(lǐng)先，帶給客戶的是突破性的領(lǐng)先技術(shù)，可以在五大領(lǐng)域帶給客戶重價(jià)值： 性能更高、功耗更低、成本更少、集成度更高，生產(chǎn)力大幅提升。而在低密度和低成本的FPGA市場，將更加強(qiáng)調(diào)針對性，靈活性與易用性，直接對ASIC形成強(qiáng)有力的挑戰(zhàn)。

從28nm開始，賽靈思已經(jīng)從可編程邏輯公司成功轉(zhuǎn)向所有可編程（All Programmable）公司。All Programmable器件采用“全面”的可編程技術(shù)，超越了可編程硬件范疇進(jìn)而包含軟件，超越數(shù)字進(jìn)而包含模擬混合信號 （AMS），超越單芯片實(shí)現(xiàn)了多芯片的 3D IC。20nm時(shí)代，賽靈思全球高級副總裁兼亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人介紹其產(chǎn)品組合將繼續(xù)沿著下面三大類方向繼續(xù)加強(qiáng)：

（1）All Programmable FPGA：具有傳統(tǒng)的可編程邏輯和可編程模擬、DSP、收發(fā)器和其他功能。

（2）All Programmable SoC：將完整處理器系統(tǒng)集成到單個(gè)FPGA架構(gòu)上，硬件、軟件和I/O均可編程的器件。

（3）All Programmable 3D IC：利用3D堆疊硅片技術(shù)擴(kuò)大集成度，克服傳統(tǒng)FPGA壁壘如高速收發(fā)器，內(nèi)存等功能障礙。

20nm All Programmable 產(chǎn)品系列專門滿足下一代的、更加“智能”、集成度更高、亟需更高帶寬的系統(tǒng)而精心打造。其目標(biāo)應(yīng)用分別是：

（1）智能Nx100G - 400G有線網(wǎng)絡(luò)；

（2）智能自適應(yīng)天線、認(rèn)知無線電技術(shù)、基帶和回程設(shè)備的LTE高級無線基站；

（3）高吞吐量、低功耗的數(shù)據(jù)中心存儲、智能網(wǎng)絡(luò)和高度集成的低時(shí)延應(yīng)用加速；

（4）圖像/視頻處理以及面向新一代顯示、專業(yè)攝像機(jī)、工廠自動(dòng)化、高級汽車駕駛員輔助和監(jiān)視系統(tǒng)的嵌入式視覺；

（5）面向幾乎所有可以想象到的應(yīng)用的尖端連接技術(shù)。

萊迪思作為在低密度和超低密度FPGA市場的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，更專注于提供符合成本效益的設(shè)計(jì)解決方案。萊迪思系統(tǒng)開發(fā)部副總裁Suresh Menon很自信的表示，低成本FPGA將繼續(xù)向更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸方向發(fā)展。此外，低成本FPGA將通過更高的集成度和新功能帶來更多的價(jià)值。因此，這些低成本FPGA將打開新的FPGA市場和應(yīng)用，并刺激行業(yè)的發(fā)展。他還介紹FPGA正越來越多地用于以前使用ASIC和ASSP的一些新的領(lǐng)域和市場，如消費(fèi)電子/移動(dòng)、安防/監(jiān)控系統(tǒng)和數(shù)碼攝像/顯示器等。

在這個(gè)細(xì)分市場中，萊迪思通過各種方式幫助客戶控制開發(fā)成本，首先緊密關(guān)注客戶的需求并且開發(fā)具有競爭力的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品專為滿足客戶特定需求而設(shè)計(jì)，并幫助他們迅速將產(chǎn)品推向市場。此外，我們還通過開發(fā)基于通用構(gòu)建模塊的多功能產(chǎn)品平臺，適用于多種新產(chǎn)品的開發(fā)，從而進(jìn)一步降低開發(fā)成本。

移動(dòng)信息處理：最具活力的技術(shù)演進(jìn)

據(jù)IDC最新預(yù)測， 2012年僅中國智能手機(jī)市場的出貨量就將接近3億臺，年增長率將達(dá)44.0%。受智能手機(jī)在未來兩年高速增長的影響，2013年中國智能終端市場的出貨量將接近3.9億臺，年增長率達(dá)33.1%。在移動(dòng)信息處理終端市場，幾乎主要的半導(dǎo)體企業(yè)都參與到這場慘烈的競爭中。

為提供更好的用戶體驗(yàn)，移動(dòng)應(yīng)用處理器在控制功耗前提下性能繼續(xù)提升，多核是不可避免的趨勢。ARM移動(dòng)產(chǎn)品經(jīng)理王俊超認(rèn)為，未來兩年以Cortex-A15/A7大小核產(chǎn)品滿足高端智能機(jī)高性能低功耗需求，中低端也將由Cortex-A5演進(jìn)到Cortex-A7，四核及雙核Cortex-A7將滿足中低端智能機(jī)的需求，使得用戶可以獲得2011年高端手機(jī)的用戶體驗(yàn)。采用多核應(yīng)用處理器能夠有效提高移動(dòng)設(shè)備處理能力。為平衡高性能與低功耗，選擇合適的架構(gòu)非常重要，高端應(yīng)用處理器采用A15/A7大小核架構(gòu)能夠有效滿足高端設(shè)備高性能和低功耗的需求，中低端可采用小核如Cortex-A7低功耗處理器，達(dá)到接近Cortex-A9處理能力，功耗低于A9一半。

在具體應(yīng)用ARM多核理念的芯片廠商看來，核的作用是不同的，有些核強(qiáng)調(diào)高性能，有些核則強(qiáng)調(diào)低功耗。因此，不應(yīng)該單一把核的數(shù)量作為考量手機(jī)整體應(yīng)用能力的標(biāo)準(zhǔn)。Marvell移動(dòng)通信事業(yè)部產(chǎn)品市場總監(jiān)吳慧雄介紹，目前的趨勢是采用大小核的架構(gòu)來構(gòu)成4核，比如采用2個(gè)高性能的核（如A15）加上兩個(gè)低功耗的核（如A5、A7）組合的方式，這樣可以根據(jù)具體應(yīng)用需求的不同，將切換到不同模式。如工作量較小的時(shí)候，可以切換到低功耗模式，如多個(gè)應(yīng)用并行訪問的時(shí)候，則可切換到高性能模式。

吳慧雄特別指出，多核模式，對軟件的優(yōu)化和運(yùn)行效率提出了很大挑戰(zhàn)，因此，對整個(gè)軟件生態(tài)系統(tǒng)的開發(fā)，所有手機(jī)軟件的開發(fā)都提出了更高要求。也就是說，如何使軟件與硬件的快速發(fā)展匹配，是一個(gè)很棘手也很重要的問題。這是整個(gè)手機(jī)軟件生態(tài)系統(tǒng)需要加強(qiáng)的工作，任重道遠(yuǎn)。

總體概括起來，整個(gè)手機(jī)處理平臺的趨勢是向低成本、高集成度、高處理能力的方向發(fā)展。

趨勢一： 芯片集成度將不斷提高。手機(jī)處理芯片的一些數(shù)字部分功能將被陸續(xù)集成到基帶處理芯片中，例如一些外設(shè)應(yīng)用技術(shù)，如WiFi、藍(lán)牙等將融合到主處理芯片中。

趨勢二： 整個(gè)芯片的處理能力將大幅度提升。由于信息處理量越來越高，因此對芯片平臺的處理能力將提出更高要求。

趨勢三： 對多媒體需求的處理能力將會增強(qiáng)。具體表現(xiàn)為對視音頻處理能力要求更高：對視頻編解碼，對高級音頻處理技術(shù)，如多聲道，干擾消除需求等。

趨勢四： 對LTE Modem的需求更加迫切。這是因?yàn)?，LTE已經(jīng)在世界各地廣泛部署，明年在中國也將面臨大面積的商用，因此對相應(yīng)Modem的需求更加強(qiáng)烈。

圖形處理器是移動(dòng)處理平臺中，完整用戶體驗(yàn)中非常重要的部分，在滿足目前UI及游戲需求的圖形處理基礎(chǔ)上，需要在功耗受限的情況下滿足用戶對支持更復(fù)雜的UI，應(yīng)用及游戲體驗(yàn)的需求，GPU計(jì)算將有效利用GPU處理能力更高效地支持人臉識別，游戲機(jī)級別的游戲及AR等應(yīng)用。王俊超表示，圖形處理能力已成為應(yīng)用處理器中越來越重要的指標(biāo)，至少將成為與CPU處理能力同等重要的指標(biāo)。面向高端智能機(jī)在滿足UI及游戲所需圖形處理需求基礎(chǔ)上還將支持GPU計(jì)算，以更高效地支持人臉識別姿態(tài)識別等應(yīng)用提供更好的交互體驗(yàn)，API標(biāo)準(zhǔn)方面需要支持Rendscript Compute， OpenCL， DirectX11等標(biāo)準(zhǔn)。

吳慧雄還提及，Marvell正在推動(dòng)移動(dòng)技術(shù)、智能家庭和云技術(shù)的融合，這將使消費(fèi)者創(chuàng)建、使用和分享信息的方式發(fā)生根本性的變化，這種Marvell倡導(dǎo)的新的互聯(lián)生活方式，也將是未來幾年中最重要的消費(fèi)趨勢之一。

半導(dǎo)體工藝的2013：3D全面入侵

當(dāng)Intel在2011年底將工藝演進(jìn)到22nm之前，很多人依然對3D的半導(dǎo)體制造工藝保持著觀望的態(tài)度，認(rèn)為這離實(shí)際應(yīng)用還有一段日子。也許是Intel為了在45nm率先引入HKMG之后，再次讓自己的工藝演進(jìn)吸引眼球并繼續(xù)引領(lǐng)技術(shù)發(fā)展，所以FINFET這種完全3D的半導(dǎo)體工藝被“提前”實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2013年，我們從各家搜集到的消息是，F(xiàn)INFET并不會在代工廠里實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，但是2014年是各代工廠決戰(zhàn)3D的年份。另一個(gè)原因是，2014年，幾大代工廠憋著一口氣，希望在這個(gè)年份從工藝上縮短于Intel的差距。促成幾大代工廠要追趕制程的重要原因是，在三大緊跟制程的應(yīng)用中，CPU的市場基本接近飽和，而另外兩個(gè)主要的驅(qū)動(dòng)力——便攜移動(dòng)處理器和FPGA則都是代工廠最重要的客戶群之一，先進(jìn)的制程可以為其產(chǎn)品提供足夠的競爭優(yōu)勢，他們也可以忍受相對較高的制造成本和略低的良率。而為了應(yīng)對2014的3D革命，設(shè)計(jì)公司們必須在2013年全面掌握這種新的3D制造工藝能為自己的產(chǎn)品帶來多大好處，并且做好自己設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移制程的準(zhǔn)備。

臺積電（TSMC）中國區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球介紹，該公司在開放創(chuàng)新平臺（Open Innovation Platform， OIP）架構(gòu)下，支持20nm技術(shù)的設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，20SoC工藝預(yù)計(jì)2012年底進(jìn)入試產(chǎn)，而延續(xù)20SoC工藝的將是采用3D鰭形場效晶體管（FinFET）架構(gòu)的16nm工藝，預(yù)計(jì)2013年11月推出，TSMC也在著手開發(fā)10nmFinFET工藝，預(yù)計(jì)2015年底推出。隨著行動(dòng)電子產(chǎn)品成為市場主流，集成電路的尺寸朝更微小化發(fā)展，TSMC相信采用20nm及16nmFinFET先進(jìn)技術(shù)能夠滿足客戶對高效能、低耗電及更小產(chǎn)品尺寸的市場需求。20nmSoC工藝將采用第二代的HKMG技術(shù)，而更先進(jìn)的16nm工藝則將采用FinFET技術(shù)；在微影技術(shù)方面，20SoC與16nmFinFET工藝皆將采用雙重曝影技術(shù)，有別于28nm采用的193nm浸潤式曝光顯影技術(shù)。另外，在性能方面，相較于28nm工藝，20SoC工藝在相同漏電基礎(chǔ)上速度增快15-20%，而在相同速度基礎(chǔ)上功耗減低20%-25%；相較于20SoC工藝，16nmFinFET工藝速度快2 5 %，功耗亦再降低25%-30%，廣泛支持下一代平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、桌面計(jì)算機(jī)以及各類消費(fèi)性便攜移動(dòng)電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

羅鎮(zhèn)球認(rèn)為全新的半導(dǎo)體制造技術(shù)將朝更先進(jìn)、更細(xì)微的技術(shù)前進(jìn)，而創(chuàng)新的FinFET技術(shù)是繼續(xù)將摩爾定律往前推進(jìn)的主要?jiǎng)恿χ弧Ｏ噍^于目前的平面式（planar）晶體管設(shè)計(jì)，F(xiàn)inFET技術(shù)將導(dǎo)電通路設(shè)計(jì)于兩側(cè)，形成可控制電流流動(dòng)的閘極環(huán)繞的3D鰭型架構(gòu)，能夠大幅改善速度與功率，并且在較低的電壓下運(yùn)作，將漏電減到最低，進(jìn)而延長移動(dòng)便攜應(yīng)用產(chǎn)品的電池使用壽命，這些優(yōu)勢克服了二維SoC技術(shù)進(jìn)一步微縮時(shí)所遭遇的關(guān)鍵障礙。

在過去十年以來，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著一個(gè)重大的挑戰(zhàn)，就是市場不斷需求更高的效能，同時(shí)要求更低的功耗。GLOBALFOUNDRIES（GF）全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen過去與客戶的交流中可以看到，客戶需要代工廠推出更先進(jìn)的制程技術(shù)來滿足市場的需求，應(yīng)對耗電部分越來越嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。GF計(jì)劃在2014年量產(chǎn)14XM這種14nm基于最新的FinFET架構(gòu)的工藝，XM代表eXtreme Mobility的意思，希望該解決方案能夠幫助客戶提升更快速的產(chǎn)品上市時(shí)間，同時(shí)能夠達(dá)到降低功耗的目標(biāo)，在成本跟效能上都能夠更具競爭力。不只是這樣一個(gè)技術(shù)能夠讓大家感到驚喜，而且GF能夠以更快的速度把這個(gè)技術(shù)帶到市場上。過去，每一次新技術(shù)的顯著提升大概都要花兩年時(shí)間，但是在XM這個(gè)部分GF能夠加快它的速度，在一年之前就達(dá)到這樣一個(gè)成績。

在14XM應(yīng)用上面，Michael Noonen特別指出在功耗上面的優(yōu)勢。如圖2紅色部分是20nm技術(shù)的表現(xiàn)，藍(lán)色部分則是14XM。無論是在耗電或者是在性能上面，都能夠有非常優(yōu)異的表現(xiàn)?？蛻艨梢园凑詹煌脑O(shè)計(jì)目標(biāo)設(shè)計(jì)更高性能，或者是提升某個(gè)性能，而控制密度降低，延長電池壽命這樣一個(gè)應(yīng)用來達(dá)到他們的需求。未來客戶所需要的不只是個(gè)備份而已，他們希望能夠有一個(gè)完整的解決方案，換言之，他們希望能夠有一個(gè)非常完善的SoC平臺來滿足他們。除了剛剛提到的能夠有一個(gè)完整的SoC提供之外，此次在14XM上面GF也能夠提供Mobile上面一個(gè)平臺來滿足客戶的需求。另外，14XM這樣一個(gè)技術(shù)也能夠符合SoC解決方案的需求，同時(shí)也能夠更針對封裝技術(shù)，這邊可以看到3D的封裝，都能夠搭配XM的應(yīng)用。

3D打?。合破鹣乱淮喂I(yè)革命浪潮

2 0 1 2年，X P R I Z E C E O Dr.Diamandis在談及未來電子及工業(yè)創(chuàng)新時(shí)，重點(diǎn)提到了3D打印技術(shù)。在今年的意法半導(dǎo)體傳感器設(shè)計(jì)大賽中，獲得最高獎(jiǎng)的西電代表隊(duì)的作品外形也是用3D打印技術(shù)制作出來的。

對于用戶來說，3D打印已經(jīng)不再是一個(gè)陌生或者僅限于科研領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品，現(xiàn)在3D打印已經(jīng)逐漸開始普及到各個(gè)企業(yè)、辦公室和設(shè)計(jì)工作室?？蛻舳私嵌葋碇v，3D打印對他的應(yīng)用不外乎四個(gè)方面：第一概念模型；第二是叫裝配或者叫原型；第三功能性測試；第四是直接制造。

Stratasys亞太及日本地區(qū)總經(jīng)理特別介紹了3D打印的一些原理，3D打印的流程和普通打印沒什么區(qū)別，從打印原理上只是在打印機(jī)的維度上增加了一個(gè)Z軸方向，打印的時(shí)候材料通過程序控制，以非常精細(xì)的距離差而實(shí)現(xiàn)一層層堆積起來，最終形成實(shí)際設(shè)計(jì)的真實(shí)體現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)了立體的效果；從打印實(shí)際操作上，只需要將現(xiàn)有的3D設(shè)計(jì)進(jìn)行簡單的轉(zhuǎn)換就可以直接打印出來。

你可以把3D打印看成對鑄造模具的一種有效替代，畢竟對于電子設(shè)計(jì)工程師來說，在設(shè)計(jì)模具的過程中采用3D打印，可以快速且成本極低地將自己的設(shè)計(jì)變成實(shí)物，從而降低很多設(shè)計(jì)成本，從另一個(gè)角度來說，對許多消費(fèi)電子產(chǎn)品的細(xì)微設(shè)計(jì)而言，能夠達(dá)到16微米精度的3D打印技術(shù)，能夠非常完美的將每一個(gè)你設(shè)計(jì)出的細(xì)節(jié)完整的呈現(xiàn)出來。而更主要的一點(diǎn)是，未來的消費(fèi)電子將是個(gè)性化的時(shí)代，你是否希望你自己的手機(jī)有個(gè)獨(dú)一無二的造型，是否希望在電腦外殼銘刻著自己公司或者個(gè)人的LOGO，這些，3D打印可以讓你的消費(fèi)電子產(chǎn)品真正的個(gè)性起來。

可以說，3D打印機(jī)的市場已經(jīng)興起，未來的發(fā)展年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)可以達(dá)到40%左右，對電子產(chǎn)業(yè)從業(yè)者來說，3D打印機(jī)不僅是自己工作的好助手，更可能是新的創(chuàng)業(yè)機(jī)遇，而惟一需要注意的是，目前3D打印機(jī)的核心競爭力是打印材料，而非打印機(jī)本身，新合并的Stratasys公司的產(chǎn)品已經(jīng)可以支持123種不同材料進(jìn)行3D打印。

模擬：高利潤源自堅(jiān)守與專注

2012年，模擬半導(dǎo)體總算多年媳婦熬成婆，之所以這么說，是因?yàn)?011年底NASDAQ的一條消息表明，2011年最會賺錢的公司是專注模擬與電源市場的Linear公司，而由此引發(fā)的深度關(guān)注是，整個(gè)高性能模擬行業(yè)的利潤率比半導(dǎo)體的整體利潤率高2-3倍。

當(dāng)然，高利潤的背后，也意味著模擬半導(dǎo)體市場必然有其值得高利潤之處，比如更專注于工業(yè)與多元化市場，比如研發(fā)對設(shè)計(jì)人員的要求更高，需要更貼近客戶的實(shí)際設(shè)計(jì)需求等。可以說，模擬相比于數(shù)字，更講究慢工出細(xì)活，拼的是企業(yè)的技術(shù)積累和對市場把握的準(zhǔn)確，而并不只是反應(yīng)速度。

就高性能模擬技術(shù)方面，短期內(nèi)主要技術(shù)趨勢存在于：1.高集成度；2.小型化； 3.低功耗；4.更高精度和穩(wěn)定性。ADI華中區(qū)銷售經(jīng)理張靖看到，目前半導(dǎo)體工藝不斷創(chuàng)新，現(xiàn)在65nm 技術(shù)在高速模數(shù)混合器件上的應(yīng)用已經(jīng)十分成熟。同時(shí)45nm，32nm，22nm，15nm工藝也取得了突破性進(jìn)展。這為模擬器件小型化，降低功耗和成本提供了條件。但是高性能模擬產(chǎn)品不是線寬越窄越穩(wěn)定，還要兼顧器件的穩(wěn)定性，抗干擾性以及精度。半導(dǎo)體電路的非理想導(dǎo)致的失調(diào)（offset），非線型，漂移是高性能模擬技術(shù)一直不斷追求以力圖減少的。

其實(shí)高性能模擬技術(shù)的發(fā)展是與客戶個(gè)性化器件需求的趨勢相統(tǒng)一，協(xié)調(diào)的。半導(dǎo)體業(yè)界不僅在半導(dǎo)體工藝，精度，穩(wěn)定性上尋求更高的突破，還不斷在ASSP和SOC 等集成度更高的領(lǐng)域發(fā)展以滿足客戶日益增多的個(gè)性化需求。同時(shí)，在模數(shù)混合器件的發(fā)展也是高性能模擬產(chǎn)品發(fā)展的一個(gè)趨勢。這種ASSP 或SOC產(chǎn)品不是簡單的多芯片混合封裝，而是在同一硅片上集成多種標(biāo)準(zhǔn)電路的產(chǎn)品。

ADI華中區(qū)銷售經(jīng)理張靖還介紹，為滿足客戶定制化需求，減小開發(fā)難度，高集成度也是未來1-2年各家廠商努力的方向。這種集成不是簡單的多裸片連接技術(shù)，而是單硅片的半導(dǎo)體技術(shù)，融合了多種標(biāo)準(zhǔn)電路以及其連接電路，補(bǔ)償電路等。中長期，多種材料技術(shù)的融合是一個(gè)方向，例如，光電技術(shù)，生物技術(shù)，傳感器技術(shù)與半導(dǎo)體技術(shù)的融合集成會給半導(dǎo)體帶來更光明的未來。

Intersil公司中國/香港總經(jīng)理陳宇對未來高性能模擬市場的看法是產(chǎn)品會更集成化，外形會更小化。如何使用最少的成本的條件下，達(dá)到最優(yōu)的效果；如何在芯片成本不增加的條件下，完善高清效果；如何在保證客戶時(shí)間的條件下，縮短產(chǎn)品開發(fā)周期？等等，這些都會是模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢，高性能更會是趨勢。之前我們提到過Intersil的SLOC解決方案，我認(rèn)為這個(gè)SLOC生態(tài)系統(tǒng)也會是未來高性能模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢，互惠互利，技術(shù)分享也會是未來的趨勢。

高性能模擬技術(shù)的發(fā)展必然會導(dǎo)致客戶的需求增長，而客戶需求增長對于高性能模擬企業(yè)來說，是一件好事?？蛻粜枨笤黾颖厝粫媾R個(gè)性化，給客戶建議，滿足客戶的條件的同時(shí)，又能夠縮短產(chǎn)品的開發(fā)周期，這個(gè)也就是建立模擬的生態(tài)系統(tǒng)的好處，模擬生態(tài)系統(tǒng)將是未來模擬市場一個(gè)重要的趨勢?？蛻魝€(gè)性化期間需求增加，對于模擬廠商而言是一個(gè)機(jī)遇，我們可以了解市場需求動(dòng)向，同時(shí)還可以完善自己的產(chǎn)品。

安森美半導(dǎo)體電源市場全球銷售及營銷高級總監(jiān)鄭兆雄針對高性能模擬技術(shù)的發(fā)展與客戶日益增多的個(gè)性化器件需求之間的平衡問題表示，如何平衡要視乎應(yīng)用，也許要在可行性及成本之間進(jìn)行折衷取舍。例如消費(fèi)市場對成本非常敏感，同時(shí)其應(yīng)用批量也非常大，故適合針對消費(fèi)市場開發(fā)專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）來滿足個(gè)性化器件的需求。另一方面，高性能通常意味著低批量應(yīng)用，適合于能夠承受高成本但數(shù)量有限的制造商的應(yīng)用。

電源管理：提升能效將是不斷追求

電源，是每個(gè)電子設(shè)備中必不可少的一部分，電源管理技術(shù)會慢慢成為重要趨勢，所有應(yīng)用都離不開電源管理，未來電源管理系統(tǒng)會更智能更綠色更高效。創(chuàng)新就成為未來電源管理應(yīng)對市場的必然因素，而這里的創(chuàng)新不僅僅是指產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新，封裝、材料、集成化以及布線排版都要有創(chuàng)新。而在綠色節(jié)能理念的倡導(dǎo)下，電源技術(shù)對提升能效的追求將是永不停息的。2013年，可能白金牌電源的標(biāo)準(zhǔn)將逐漸成為主流，而鈦金牌電源的要求也會逐漸被各家廠商所重視，成為未來的發(fā)展趨勢。

隨著創(chuàng)新型高能效應(yīng)用的需求不斷推進(jìn)，電源管理已經(jīng)成被各公司快速提入日程，現(xiàn)在更深入工程師的思維，并且占據(jù)重要位置。對于多種類型的終端設(shè)計(jì)，在功率級和功率密度方面的要求都將不斷提高，因?yàn)楝F(xiàn)在都要求系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)更多功能。

幾年前，數(shù)字電源管理一直還只是一項(xiàng)小的技術(shù)，但我們相信，現(xiàn)在它已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)被快速采用的階段。在未來十年，對于高能效產(chǎn)品的關(guān)注將有望推動(dòng)數(shù)字電源管理應(yīng)用的擴(kuò)展，主要應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器、照明系統(tǒng)和逆變器。

要提升電源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換能效，不僅要提升電源在典型負(fù)載到滿載范圍內(nèi)的能效、改善功率因數(shù)，還要提升輕載范圍下的能效，并降低待機(jī)（空載）能耗。安森美半導(dǎo)體電源市場全球銷售及營銷高級總監(jiān)鄭兆雄舉例，當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)人員不僅要提供更高的滿載及典型負(fù)載工作能效，也要優(yōu)化電源在輕載條件下的能效，從而在完整負(fù)載范圍內(nèi)均能提供優(yōu)異的高能效性能。談及未來電源管理系統(tǒng)，鄭兆雄介紹，一方面，可以采用創(chuàng)新的電源架構(gòu)來優(yōu)化電源在完整負(fù)載范圍內(nèi)的能效。另一方面，可以細(xì)致分析電源各個(gè)可能的功率損耗來源，采取針對性的措施來減小功率損耗，進(jìn)而提升能效，并配合減小尺寸及提升功率密度。

凌力爾特公司電源產(chǎn)品產(chǎn)品市場總監(jiān)Tony Armstrong直接指出，任何系統(tǒng)中的功耗問題都必須以兩種方式應(yīng)對，首先，在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)，最大限度地提高轉(zhuǎn)換效率，其次，在所有工作模式時(shí)，降低從 DC/DC 轉(zhuǎn)換器吸取的靜態(tài)電流。因此，為了在降低系統(tǒng)功耗中發(fā)揮積極作用，電源轉(zhuǎn)換和管理 IC 必須提高效率，即功率損失更低，在輕負(fù)載和休眠模式時(shí)，有非常低的功耗水平。應(yīng)對未來的能效挑戰(zhàn)，Linear將繼續(xù)開發(fā)和推出更多具備更低靜態(tài)電流的產(chǎn)品。

NXP大中華區(qū)資深產(chǎn)品行銷經(jīng)理張錫亮認(rèn)為，智能電源日漸盛行，并為數(shù)字控制系統(tǒng)和數(shù)字通信帶來諸多機(jī)會，包括無線和有線方式。由于系統(tǒng)可以準(zhǔn)確知道所需電量并要求供應(yīng)相應(yīng)電量，因此智能電源可以節(jié)省更多用電。它還帶來了組合發(fā)展機(jī)遇，例如在電源線上進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。對發(fā)電廠而言，更容易獲知電源負(fù)載（或需求），從而更易于準(zhǔn)備充足的電量。而對于個(gè)人和家庭而言，有更多的電源可供智能分配，如太陽能、風(fēng)力發(fā)電和發(fā)電廠供電。

ADI電源管理部門市場工程師張潔萍眼中，綠色、環(huán)保、節(jié)能一直是這幾年電源管理系統(tǒng)技術(shù)創(chuàng)新的重點(diǎn)。隨著綠色技術(shù)在各行業(yè)的不斷滲透，新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)也在推動(dòng)產(chǎn)品升級。照明、電信、智能電網(wǎng)、智能家電等領(lǐng)域同樣具有巨大的增長空間，也是電源廠商重點(diǎn)關(guān)注的方向。節(jié)能主要體現(xiàn)在

電源產(chǎn)品本身的節(jié)能和整體機(jī)房節(jié)能，而“綠色”主要體現(xiàn)在提高整機(jī)效率、減少對電網(wǎng)的干擾以及節(jié)省空間、節(jié)約成本等方面。另外，模塊化電源、網(wǎng)絡(luò)化電源等也是目前的關(guān)注焦點(diǎn)。模塊化電源，除了能提高電源供應(yīng)的可靠性，企業(yè)自身還可根據(jù)用電負(fù)載選配模塊。因此，廠商們?nèi)绻胍诩ち业氖袌龈偁幹斜３稚踔撂岣呤袌稣加新?，持續(xù)技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng)新是重中之重。

功率器件：提升能效的踐行者

電源管理技術(shù)供應(yīng)商已不僅僅局限在電源技術(shù)本身，同時(shí)更多地關(guān)注系統(tǒng)信號鏈的把握和系統(tǒng)的應(yīng)用。在器件設(shè)計(jì)角度來看，通過器件帶有的特性提升整體工作效率。比如，電源器件通過檢測系統(tǒng)的工作狀態(tài)，如動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出電壓來達(dá)到效率優(yōu)化的目的。從工藝角度來看，功率器件工藝的改進(jìn)是提高效率的關(guān)鍵。

富士通半導(dǎo)體亞太區(qū)市場副總裁鄭國威則談到了新技術(shù)對提升能效的意義，比如采用基于硅基板的氮化鎵（GaN）功率器件是提升電源效率的新技術(shù)，這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。

富士通半導(dǎo)體自2011年起開始向特定電源相關(guān)合作伙伴提供GaN功率器件樣品，并對之進(jìn)行優(yōu)化，以便應(yīng)用在電源單元中。最近，富士通半導(dǎo)體開始與富士通研究所 （Fujitsu Laboratories Limited） 合作進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，包括開發(fā)工藝技術(shù)來增加硅基板上的高質(zhì)量GaN晶體數(shù)量；開發(fā)器件技術(shù)，如優(yōu)化電極的設(shè)計(jì)，來控制開關(guān)期間導(dǎo)通電阻的上升；以及設(shè)計(jì)電源單元電路布局來支持基于GaN的器件的高速開關(guān)。這些技術(shù)開發(fā)結(jié)果使富士通半導(dǎo)體在使用GaN功率器件的功率因數(shù)校正電路中成功實(shí)現(xiàn)了高于傳統(tǒng)硅器件性能的轉(zhuǎn)換效率。

對GaN同樣寄予厚望的是國際整流器公司亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉，他表示，由于設(shè)計(jì)者和技術(shù)人員已接近所能實(shí)現(xiàn)的芯片的外形極限，因此想要實(shí)現(xiàn)性能的進(jìn)一步提高將變得異常復(fù)雜，實(shí)現(xiàn)成本也變得很高。在一些情況下，為了在浪費(fèi)很少能源的情況下提高系統(tǒng)的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)尺寸、復(fù)雜性和成本，那么就需要利用新技術(shù)來構(gòu)建元件，或者在一些情況下，需要采用新材料。在IR公司GaN功率器件技術(shù)平臺上，我們可以看到一個(gè)很恰當(dāng)?shù)氖纠?，這也意味著高效功率設(shè)計(jì)新時(shí)代的到來。IR公司采用GaN功率技術(shù)的GaNpowIR？平臺與采用先進(jìn)硅技術(shù)的平臺相比，能夠把重要的專用應(yīng)用的優(yōu)值系數(shù)（FOM） 提高達(dá)十倍。基本上，采用GaN的電源器件將最終用于與采用硅功率芯片相同的大部分應(yīng)用，以及一些潛在的目前還不可采用硅芯片的新應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用目前GaN功率器件的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用目標(biāo)包括AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、D類音頻和照明系統(tǒng)。

而由于歐美政策上的變化，英特矽爾陳宇認(rèn)為，消費(fèi)類電子的小功率器件并不被太看好，而大功率器件卻有著不小的潛力，但整體來講，電源IC以及MOSFET還會有比較好的發(fā)展空間，而我們都知道功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍正從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域4C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子）擴(kuò)展到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個(gè)方面。這種重要性決定了功率半導(dǎo)體在未來的變化，SiC等材料的關(guān)注度、器件集成化、器件搭載技術(shù)、封裝創(chuàng)新度等都是未來值得關(guān)注的地方。

安森美的鄭兆雄對功率器件的看法是，全球能耗大幅增加、能源價(jià)格不斷上升以及預(yù)計(jì)對經(jīng)濟(jì)及環(huán)境的不利影響，也持續(xù)推動(dòng)針對更高性能功率分立元器件的需求。這些高性能功率半導(dǎo)體器件須提供更高能效，幫助降低損耗，并提供更高可靠性。例如，安森美半導(dǎo)體推出NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120等新系列的場截止型（Field Stop） 絕緣門雙極結(jié)晶體管（IGBT），應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案，適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。

新能源應(yīng)用：綠色是不懈的追求

雖然新能源應(yīng)用在經(jīng)歷了前幾年的火爆之后，看似最近有所降溫，不過，只要人們對節(jié)能與綠色環(huán)保的追求不變，各種新能源應(yīng)用依然會逐漸被重視，并取代傳統(tǒng)能源的部分市場，成為人們生活中必不可少的一部分。

綠色工程解決方案的市場持續(xù)快速增長，這是由于大家對環(huán)境的關(guān)注，廠商需要符合最新推出的法律法規(guī)，并且從商業(yè)角度，確保能源成本和能源供應(yīng)的安全性?；谝陨戏N種考慮，新電源管理方法的巨大商機(jī)存在于各個(gè)環(huán)節(jié)，包括從汽車到家電，從照明到可再生能源的各個(gè)領(lǐng)域。

凌力爾特專注于其倡導(dǎo)的能量收集產(chǎn)品，以專門服務(wù)于這一新市場。在我們周圍有豐富的環(huán)境能源，傳統(tǒng)的能量收集方法一直是使用太陽能電池板和風(fēng)力發(fā)電機(jī)。不過，由于有了新的能量收集方法，我們現(xiàn)在可以用多種環(huán)境能源產(chǎn)生電能。此外，重要的不是電路的能量轉(zhuǎn)換效率，而是可用來給電路供電的“平均收集”能量的多少。例如： 熱電發(fā)生器將熱能轉(zhuǎn)換成電力、壓電組件轉(zhuǎn)換機(jī)械振動(dòng)能、光伏組件用于轉(zhuǎn)換陽光 （或任何光子源）、而電流組件則可從濕氣實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。這使得有可能給遠(yuǎn)程傳感器供電，或給電容器、薄膜電池等存儲器件充電，以便在沒有電源的偏僻地點(diǎn)，也能給微處理器或發(fā)送器供電。這為我們的能量收集產(chǎn)品帶來了商機(jī)，這些產(chǎn)品可用于未來可能出現(xiàn)的各種解決方案。

替代能源帶來商機(jī)的一個(gè)絕佳例子是太陽能供電的電子設(shè)備市場。隨著企業(yè)不斷尋求降低能耗的方式，這個(gè)市場也在持續(xù)增長。例如，我們可以看一下智能電表。智能電表用在智能電網(wǎng)中，可由環(huán)境能源供電，以降低工作能耗費(fèi)用。一種可行和充足的能源是太陽能。不過，因?yàn)樘柲茏兓?、不是穩(wěn)定可靠的，所以幾乎所有由太陽能供電的設(shè)備都配備了可再充電電池。因此，一個(gè)重要的目標(biāo)是，設(shè)法得到盡可能多的太陽能，以快速給電池充電，并保持電池的充電狀態(tài)，這樣在沒有太陽能可用時(shí)，就可將電池用作能源。

節(jié)能環(huán)保的新能源是中國十二五規(guī)劃產(chǎn)業(yè)升級的重點(diǎn)。中國風(fēng)電機(jī)組裝機(jī)容量近年迅速增長，太陽能光伏發(fā)電成長空間巨大，逆變器供不應(yīng)求。新能源的主要市場是新型能源在能源系統(tǒng)暨電力系統(tǒng)中的應(yīng)用，它存在于電力系統(tǒng)的發(fā)、輸、配、用四大環(huán)節(jié)中，這也是智能電網(wǎng)概念中的一個(gè)重要部分。新型能源發(fā)電包括了太陽能光伏發(fā)電與風(fēng)能發(fā)電，這是區(qū)別于目前大量使用中的化石原料發(fā)電的補(bǔ)充，是可再生的、清潔的能源。這也是新能源技術(shù)關(guān)心的重點(diǎn)，也是主要市場，亦是現(xiàn)階段的投資重點(diǎn)。目前，國家大力提倡快速發(fā)展風(fēng)力發(fā)電，以及太陽能光伏發(fā)電，這些變化我可以從有關(guān)部門的一些數(shù)據(jù)中看到。其中主要涉及的技術(shù)包括了大功率風(fēng)力發(fā)電機(jī)組的設(shè)計(jì)與組裝技術(shù)、發(fā)電機(jī)控制技術(shù)、大功率變流技術(shù)、光伏系統(tǒng)的MPPT控制、光伏逆變技術(shù)和并網(wǎng)技術(shù)等。

ADI技術(shù)業(yè)務(wù)經(jīng)理張松剛介紹，在新能源的建設(shè)中所面臨的關(guān)鍵問題有很多，其中提高光伏逆變效率、降低光伏逆變系統(tǒng)的成本、新能源并網(wǎng)接入、低電壓穿越、大容量能量存儲、特高壓輸電、需求側(cè)管理及智能計(jì)量技術(shù)等應(yīng)該是業(yè)界比較關(guān)注的關(guān)鍵點(diǎn)。在2013年，與智能電網(wǎng)相關(guān)的微網(wǎng)建設(shè)，包括了怎樣考慮新能源介入、能源存儲、電動(dòng)汽車充電樁等應(yīng)用都會帶來相應(yīng)的新技術(shù)。這其中光伏逆變系統(tǒng)、電池充放電管理技術(shù)、新型電池、充電樁能量合理分配技術(shù)及配套產(chǎn)品等都會促進(jìn)新能源市場的良性發(fā)展。對于半導(dǎo)體產(chǎn)品來說，表現(xiàn)為怎樣提高系統(tǒng)效率、降低總的系統(tǒng)成本、快速推向市場等，主要的機(jī)會將體現(xiàn)在電能計(jì)量產(chǎn)品的多樣化、可提供高性能ADC及支持高載頻PWM輸出的MCU、高頻率的門極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品、高性能的隔離電壓電流檢測、高效率及數(shù)字化電源技術(shù)等。

汽車電子：一半是智能安全 一半是清潔環(huán)保

對于汽車電子來說，市場的要求一直存在，并且很簡單：一個(gè)方向是要車輛駕駛更智能化更安全更舒適，并且娛樂和信息功能要逐漸完善，而另一個(gè)方向則是要堅(jiān)持走新能源和混合動(dòng)力汽車方向，逐漸替代現(xiàn)有的汽油動(dòng)力或者盡可能減少碳的排放量。

在汽車電子領(lǐng)域，富士通半導(dǎo)體亞太區(qū)市場副總裁鄭國威最關(guān)注純電動(dòng)汽車，同國家政策一樣，把“三橫”（電池、電機(jī)、電控）作為富士通研局的核心。在電池方面，我們提供最新的BMS解決方案和預(yù)測并提高電池使用壽命的LEV控制器算法。在電機(jī)方面，富士通主要是提供高集成度的MB91580 MCU，而且從車廠的角度來說，該MCU可以做到一并整合BMS管理和DC-DC轉(zhuǎn)換模塊的系統(tǒng)能力，大大節(jié)省整車的控制系統(tǒng)成本。在電控方面，重點(diǎn)推薦的是最新低成本MB91520系列MCU，在總線方面，該系列已經(jīng)先期集成了一路FlexRay，3路CAN和7路LIN總線。同時(shí)目前比較熱門的ADAS（先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)）也是未來的一個(gè)發(fā)展趨勢，富士通的ADAS技術(shù)主要涉及透過攝像頭和傳感器的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)圖像識別輔助和接近目標(biāo)檢測，應(yīng)用的領(lǐng)域主要有360度三維立體全景輔助、可視停車輔助、駕駛盲區(qū)監(jiān)控、安全開車門以及車行駛方向周圍的障礙物和行人的識別。

ADI公司亞洲區(qū)行業(yè)市場總監(jiān)周文勝認(rèn)為電池技術(shù)是新能源汽車的重要驅(qū)動(dòng)力。目前，新能源汽車中的電池對新能源汽車的發(fā)展帶來很大的挑戰(zhàn)。如何改善電池的充電時(shí)間、使用壽命、減輕電池的重量，增加電池的續(xù)航能力、降低成本、保證使用安全等等問題，都是新能源汽車迫切需要而且必需要解決的問題。在中國，經(jīng)過幾年的快速發(fā)展，消費(fèi)者對汽車已逐漸轉(zhuǎn)向?qū)Π踩雀邔哟蔚男枨?。這些高需求也使得汽車安全系統(tǒng)越來越向智能化的方向發(fā)展。代表一種重要的市場新趨勢，ADAS作為ABS（防抱死制動(dòng)系統(tǒng)），安全氣囊，和穩(wěn)定控制系統(tǒng)之后的技術(shù)革新，其普及步伐不斷加快?；谝曈X的高級駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS） 的核心，是通過視覺或者雷達(dá)技術(shù)檢測車輛周圍的環(huán)境信息，經(jīng)DSP處理，然后采取相應(yīng)的預(yù)警或干預(yù)措施，可以從多方面大大提高行車安全性。通過安裝后視/前視/側(cè)視攝像頭和視覺處理ECU，可以實(shí)現(xiàn)多種功能來幫助駕駛員提前防范風(fēng)險(xiǎn)。

英飛凌科技（中國）有限公司總裁兼執(zhí)行董事賴群鑫相信汽車電子市場依然充滿著機(jī)會，是值得繼續(xù)關(guān)注的產(chǎn)業(yè)，英飛凌的關(guān)注點(diǎn)依然是高能效、移動(dòng)性和安全性三個(gè)方面。在產(chǎn)品和市場策略上，利用豐富的系統(tǒng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，使產(chǎn)品能為客戶帶來最大價(jià)值以增強(qiáng)其市場競爭力；借助傳統(tǒng)動(dòng)力、車身、舒適、安全及新能源的產(chǎn)品線以此推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)向高效、減排及安全舒適方向快速發(fā)展。傳感器會在汽車電子的各項(xiàng)應(yīng)用中占越來越多的比例。排放法規(guī)更加嚴(yán)格，摩托車?yán)^續(xù)從化油器升級為電噴系統(tǒng)；國人更加關(guān)注汽車的安全，電子系統(tǒng)裝車率提高；法規(guī)成為技術(shù)進(jìn)步的主要推動(dòng)力。

安森美半導(dǎo)體電源市場全球銷售及營銷高級總監(jiān)鄭兆雄先生對汽車電子也非常看好。以汽車應(yīng)用為例，全球各地的政府機(jī)構(gòu)正在推動(dòng)相關(guān)提案及法規(guī)，迫使汽車OEM設(shè)法減少燃油消耗及廢氣（二氧化碳、NOx等）排放。因此，一個(gè)重要趨勢就是新世代的混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車在加快發(fā)展。如果從半導(dǎo)體的視角比較標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃發(fā)動(dòng)機(jī)汽車與混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力系統(tǒng)，可以估計(jì)出兩者的半導(dǎo)體成分之比為1：5，也就是說，混合動(dòng)力汽車動(dòng)力系統(tǒng)的半導(dǎo)體成分相較于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)提升到5倍。

測試：自動(dòng)化與靈活測試逐漸成為主流

兼容更多最新技術(shù)是推動(dòng)測試測量領(lǐng)域不斷向前發(fā)展的永恒驅(qū)動(dòng)力。包括半導(dǎo)體技術(shù)，總線技術(shù)，處理器技術(shù)等在內(nèi)的最新商業(yè)現(xiàn)成可用技術(shù)無疑將會進(jìn)一步拓展測試測量的應(yīng)用領(lǐng)域。以PXI技術(shù)發(fā)展為例，經(jīng)過十五年的發(fā)展，PXI技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，但這并不妨礙PXI技術(shù)將與時(shí)俱進(jìn)地兼容更多新的技術(shù)。基于最新的技術(shù)，PXI平臺的應(yīng)用范圍進(jìn)一步拓寬，比如利用高帶寬的中頻儀器進(jìn)行通信系統(tǒng)測試，高速數(shù)字協(xié)議接口，高速圖像采集等等?？梢云诖S著商業(yè)PC總線的進(jìn)一步發(fā)展，PXI平臺還將繼續(xù)利用這些商業(yè)現(xiàn)成可用技術(shù)，幫助更多領(lǐng)域的工程師和科研人員，確保他們測試測量與控制應(yīng)用的成功。

具體到整個(gè)無線通信測試行業(yè)，我們可以看到一些明顯的趨勢：首先，測試的自動(dòng)化程度越來越高，對射頻測試的速度要求也越來越嚴(yán)苛。其次，很多新興的產(chǎn)品會在同一個(gè)設(shè)備上集成多種無線通信標(biāo)準(zhǔn)，以蘋果公司的iphone 5為例，它同時(shí)集成了GSM、EDGE、CDMA2000、WLAN以及用于4G通信的LTE等模式，在方便用戶的同時(shí)，也給相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和測試帶來了巨大的挑戰(zhàn)。再次，各種新的無線通信標(biāo)準(zhǔn)的不斷涌入也同樣使人感到束手無策，每個(gè)公司和組織都在根據(jù)自己特定應(yīng)用的需求來制定和優(yōu)化不同的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議，這就使得大量的新標(biāo)準(zhǔn)如雨后春筍般出現(xiàn)，而每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的生命周期卻被縮短，如圖所示。通常射頻設(shè)備的購買周期是5至7年，但新標(biāo)準(zhǔn)與新技術(shù)的推出周期卻縮短至每兩年一輪，這給測試廠商帶來巨大壓力。

軟件定義的射頻測試系統(tǒng)架構(gòu)是應(yīng)對諸多射頻測試挑戰(zhàn)的一個(gè)思路。如今，射頻應(yīng)用變得越來越為復(fù)雜，工程師們正面臨增強(qiáng)功能性且不增加測量次數(shù)與成本的兩難。盡管在測試測量算法、總線速度和CPU速度上的提高減少了測試次數(shù)，在射頻測量系統(tǒng)中運(yùn)用基于FPGA的硬件可以帶來從低延時(shí)待測設(shè)備的控制到減少CPU負(fù)載等諸多好處：

使用交互式待測設(shè)備控制方法，提高測試系統(tǒng)的整合度；

使用硬件測量減少測試時(shí)間，提高測試可靠性；

通過閉環(huán)反饋快速達(dá)到最理想的測試條件；

通過用戶自定義觸發(fā)來處理特定的數(shù)據(jù)。

第6篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

關(guān)鍵詞:光電探測器 光電導(dǎo)效應(yīng) 光電導(dǎo)器件

光電探測器是一種利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的能夠?qū)⒐廨椛滢D(zhuǎn)換成電量的器件,它利用這個(gè)特性可以進(jìn)行顯示及控制的功能。光探測器可以代替人眼,由于具有光譜響應(yīng)范圍寬的特點(diǎn),光探測器亦是人眼的一個(gè)延伸。光電探測器利用被照射材料由于輻射關(guān)系電導(dǎo)率發(fā)生改變的物理特點(diǎn),在紅外波段中的應(yīng)用主要在紅外熱成像、導(dǎo)彈制造及紅外遙感等一些方面;在可見光或近紅外波段中的應(yīng)用主要在在工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量及射線測量和探測等方面。隨著電子科學(xué)技術(shù)的日趨成熟,光電探測器的應(yīng)用將更加廣泛。

1、光電探測器的發(fā)展

1873年,英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng),但是這種效應(yīng)長期處于探索研究階段,未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后,隨著半導(dǎo)體的發(fā)展,各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初,中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測器研制成功,典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au(鍺摻金)和Ge:Hg光電導(dǎo)探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料,因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級,照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級的離化能,就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei代表雜質(zhì)能級的離化能。

到60年代中后期,Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導(dǎo)體材料研制成功,并進(jìn)入實(shí)用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變,例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料,可以制成響應(yīng)波長為 8～14微米大氣窗口的紅外探測器。

2、光電探測器的工作原理

光電探測器的工作原理是基于光電效應(yīng),熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高,從而改變了它的電學(xué)性能,它區(qū)別于光子探測器的最大特點(diǎn)是對光輻射的波長無選擇性。

所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,它光是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí),光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對,這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù),v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此,本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長波限受禁帶寬度的限制。

光電導(dǎo)器件:利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料做成的光電探測器稱為光電導(dǎo)器件,通常叫做光敏電阻。在可見光波段和大氣透過的幾個(gè)窗口,即近紅外、中紅外和遠(yuǎn)紅外波段,都有適用的光敏電阻。光敏電阻被廣泛地用于光電自動(dòng)探測系統(tǒng)、光電跟蹤系統(tǒng)、導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外光譜系統(tǒng)等。

光電子發(fā)射器件:光電管與光電倍增管是典型的光電子發(fā)射型(外光電效應(yīng))探測器件。其主要特點(diǎn)是靈敏度高,穩(wěn)定性好,響應(yīng)速度快和噪聲小,是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益,特別適于探測微弱光信號;但它結(jié)構(gòu)復(fù)雜,工作電壓高,體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應(yīng)速度要求較高的場合,如人造衛(wèi)星的激光測距儀、光雷達(dá)等。

硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻是可見光波段用得最多的兩種光敏電阻;硫化鉛PbS光敏電阻是工作于大氣第一個(gè)紅外透過窗口的主要光敏電阻,室溫工作的PbS光敏電阻響應(yīng)波長范圍1.0～3.5微米,峰值響應(yīng)波長2.4微米左右;銻化銦InSb光敏電阻主要用于探測大氣第二個(gè)紅外透過窗口,其響應(yīng)波長3～5μm;碲鎘汞器件的光譜響應(yīng)在8～14 微米,其峰值波長為10.6微米,與CO2激光器的激光波長相匹配,用于探測大氣第三個(gè)窗口(8～14微米)。

3、光電探測器的結(jié)構(gòu)

第一支InGaAs光電探測器在1978年就被報(bào)道,略晚于第一支InGaAsP光電探測器。這些探測器都可以通過改變組分含量從而達(dá)到需要的波長響應(yīng),一種典型的InGaAsP光電探測器結(jié)構(gòu)圖如下圖所示:

圖 一種典型的InGaAsP光電探測器結(jié)構(gòu)圖

利用異質(zhì)結(jié)構(gòu)以In0 6qGa0 31As0 66P0 34作為本征吸收層,以In0.7:Ga0.22As0.47P0.53為P型表面入射窗,得到了峰值響應(yīng)波長為1.36 gm的窄的頻譜響應(yīng)。為了制作方便,一股將這種光電探測器做成臺面結(jié)構(gòu)。

InGaAsP光電探測器中,表面鈍化層、載流子產(chǎn)生復(fù)合及隧穿等都會引起暗電流。通過優(yōu)化表面鈍化層可以使表面漏電流密度小到IlA/cm量級。

s.R.Forrestt等人指出,在較低偏壓下載流子產(chǎn)生復(fù)合對暗電流起主導(dǎo)作用,只有當(dāng)偏壓大于100V時(shí)隧穿電流才變得顯著。即使由產(chǎn)生復(fù)合引起的小的暗電流也會對光電探測器靈敏度產(chǎn)生不利影響,因此應(yīng)合理設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使暗電流最小。

為了制作方便,將這種光電探測器做成臺面結(jié)構(gòu),包括外延生長,擴(kuò)散及離子注入等方法。然而這些臺面不利于集成,難以實(shí)現(xiàn)光電子集成回路(OEIC),因此人們又做出了各種平面結(jié)構(gòu),這些平面結(jié)構(gòu)類似于上圖所示,同時(shí)這種平面結(jié)構(gòu)有助于因表面漏電流引起的暗電流。

4、光電探測器的種類

第7篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

[關(guān)鍵詞]納米材料；技術(shù)；涂料；應(yīng)用

中圖分類號：TQ63文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1009-914X（2017）25-0397-02

1納米材料的概述

納米材料是指由尺寸介于原子、分子和宏觀體系之間的納米粒子組成的新一代材料。而納米技術(shù)是研究物質(zhì)組成體系的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和相互作用以及在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)特有功能和智能作用的一種科學(xué)技術(shù)。納米涂料是利用納米粒子抗紫外線的性能對涂料進(jìn)行改性，提高涂料的某些性能。納米涂料也是納米復(fù)合涂料，是在涂料生產(chǎn)過程中加入納米粒子，從而產(chǎn)生許多優(yōu)異性能，使納米涂料具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)及電磁學(xué)性能，這些都是傳統(tǒng)涂料不能比擬的，而且添加不同的納米粒子便生產(chǎn)出不同功能的納米涂料，從而擴(kuò)大了涂料的應(yīng)用范圍。

納米涂料的發(fā)展：首先，納米材料在我國的發(fā)展已經(jīng)很廣泛，在市場上也取得較好的反應(yīng)，納米建筑涂料是納米涂料用量最大的品種之一，也是提升傳統(tǒng)涂料的重點(diǎn)領(lǐng)域。近幾年來，納米材料的發(fā)展更為迅速，在建筑行業(yè)中，主要被用于改善建筑內(nèi)墻涂料的抗菌性和建筑外墻涂料的耐候性，已經(jīng)逐漸形成一種產(chǎn)業(yè)。但是還是落后于發(fā)達(dá)國家，國外的納米材料的應(yīng)用，對于納米涂料的應(yīng)用，國外對其的開發(fā)起步較早并形成產(chǎn)業(yè)化，美國對于納米材料的應(yīng)用主要用于絕緣涂料、豪華轎車面漆以及軍事方面，還開展了在包裝上使用阻隔性涂層、透明并耐磨性涂料、光致變色涂料等納米涂料的應(yīng)用研究。而日本主要在由光催化進(jìn)行自動(dòng)清潔涂料、靜電屏蔽涂料的研究方面取得成效并將其發(fā)展為產(chǎn)業(yè)化。

2納米材料的物理性能

納米材料中能級分裂和電子布局的變化；納米材料電子的強(qiáng)關(guān)聯(lián)或相關(guān)性；納米材料具備的激子過程和激發(fā)態(tài)；納米材料的表面態(tài)與表面結(jié)構(gòu)：納米材料占比例較大的是的其表面，當(dāng)納米材料減少到10nm時(shí)，體內(nèi)原子和表面原子的數(shù)目比將達(dá)到50%。表面原子與體內(nèi)原子所處的化學(xué)環(huán)境截然不同，因此會有表面相形成。但是，由于普通材料中，表面相受到比例小的影響，局限性較大。對于納米材料來說，由于自身表象與體相比例相差不大，因此，在許多物理變化以及化學(xué)變化中的作用顯著，而且更加利于人們對其進(jìn)行研究；納米材料的量子隧穿與納米尺度的耦合：目前改性涂料所使用納米材料一般為半導(dǎo)體納米材料，如納米SiO2、TiO2、ZnO等，半導(dǎo)體納米材料比較特殊；具有光學(xué)性；納米半導(dǎo)體粒子，1-100nm。由于量子尺寸效應(yīng)差異較大，因此目前最活躍的研究領(lǐng)域之一就是納米半導(dǎo)體粒子的光化學(xué)性質(zhì)和光物理性質(zhì)，對于納米半導(dǎo)體粒子所具有的室溫光致發(fā)光及超快速的光學(xué)非線性響應(yīng)等特性更加受到關(guān)注。一般情況下，當(dāng)導(dǎo)體激子玻爾半徑與導(dǎo)體粒子尺寸半徑極其相近時(shí)，隨著導(dǎo)體粒子尺寸的變化，其導(dǎo)體的有效帶隙也隨之發(fā)生變化。導(dǎo)體尺寸越小，其導(dǎo)體的有效帶隙越多，其相應(yīng)的熒光光譜和吸收光譜會發(fā)生藍(lán)移，最終形成能級在能帶中。

3納米材料的其他性能

3.1光學(xué)性能：當(dāng)納米微粒的粒徑與電子的德布羅意波長、超導(dǎo)相干波長以及玻爾半徑相當(dāng)時(shí)，其具有較為顯著的尺寸效應(yīng)。同時(shí)，納米材料的比表面使處于小顆粒內(nèi)部的電子、原子以及處于表面態(tài)的電子、原子與的行為有很大的差別，影響納米微粒的光學(xué)特性與納米材料的這種量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)有很大的關(guān)系。這是同樣材質(zhì)納米材料的宏觀大塊物體不具備的。例如SiO2、TiO2、ZnO等，能夠很好的吸收紫外光，而其中一些氧化物幾乎不吸收紫外光，例如亞微米的TiO2。由于這些納米材料具有良好的半導(dǎo)體特性，因此容易吸收紫外光，其主要原因是由于電子被激發(fā)發(fā)生躍遷，從而吸收紫外光線。納米材料與具有相同材質(zhì)的大塊材料相比，納米材料在吸收紫外光線過程中，會出現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象，出現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象的原因有，量子尺寸發(fā)生變化，能隙變寬，光吸收靠近短波。另一種是表面效應(yīng)。大的表面張力使晶格畸變，晶格常數(shù)變小。

3.2吸附性能：當(dāng)不同相相接觸并且互相結(jié)合時(shí)，就是吸附現(xiàn)象。納米微粒與材質(zhì)相同的一些材料相比吸附性較強(qiáng)，主要是由于其比表面積較大，并且其表面得原子不能足夠配位。影響納米材料吸附性能的因素較多，其中，溶液性質(zhì)、被吸附物質(zhì)的性質(zhì)、溶劑性質(zhì)都可能對其產(chǎn)生影響。比如，水溶液的PH值不同，納米材料微粒的電性也不相同，有可能帶正電、也有可能帶負(fù)電、還有可能呈中性。這些粒子所形成的吸附鍵不同，其吸附作用也具有差異。一些納米材料能夠利用氣體，形成吸附層，如納米氧化物可以與空氣中的一些氣體結(jié)合形成吸附表層。氣體不同，形成的吸附層也不相同。

4納米材料在涂料中的應(yīng)用

4.1力學(xué)性能的改善

涂料力學(xué)性能主要表現(xiàn)在強(qiáng)度、硬度、耐磨性等方面，涂料力學(xué)性能的好壞直接關(guān)系到涂料的使用壽命。在涂料實(shí)際應(yīng)用過程中，受多種因素的影響，會出現(xiàn)力學(xué)性能的變化，從而難以發(fā)揮涂料應(yīng)有的作用。而納米材料的應(yīng)用能夠有效地改善涂料的力學(xué)性能。納米材料中的納米粒子比表面積要大，能夠與有機(jī)樹脂基質(zhì)之間存在良好的界面結(jié)合力，大顆粒與成膜物之間的空隙非常小，能夠有效地減少毛細(xì)作用，從而提高涂層的強(qiáng)度、硬度以及耐磨性。

4.2光學(xué)性能的改善

涂料主要是涂在物體表面，而在物體表面，涂料很容易腐化、脫落，而出現(xiàn)這種問題的根源就在于涂料的光學(xué)性能比較差，涂料在太陽的照射下快速地發(fā)生反應(yīng)。而納米材料具備大顆粒所不具備的光學(xué)性能。當(dāng)納米級微粒摻和進(jìn)母體材料時(shí)，可以提高母體材料的透明性，從而直接散射紫外光，同時(shí)，能夠?qū)⒆贤夤饫w帶出散射區(qū)域，從而大大的增強(qiáng)涂料的曝光、保色及抗老化性能。

4.3提高光催化效率

就納米材料而言，納米粒子尺寸小，比表面積要大，表面原子配位不全，從而使得表面活性點(diǎn)增多，由于表面活性點(diǎn)比較多，反應(yīng)接觸面就比較大，催化效率就要高。對于涂料這種產(chǎn)品而言，納米材料的可以作為涂料的光催化劑，因納米粒子的粒徑小，粒子吸收光能后，激發(fā)出的極子所到達(dá)表面的數(shù)量就會增多，從而加速催化，提高涂料的光催化性能。如二氧化鈦的光催化性能，這種光催化劑集廣泛應(yīng)用于廢水處理、有害氣體凈化、日用品等領(lǐng)域，同時(shí)還可以環(huán)境保護(hù)涂料自己殺菌涂料。

5納米材料在涂料中應(yīng)用的關(guān)鍵問題

納米材料作為科技產(chǎn)物，它的作用毋庸置疑，但是就納米材料在涂料中的應(yīng)用來看，還處于初級階段，在實(shí)際應(yīng)用過程中出現(xiàn)了一些問題，納米材料在涂料中的應(yīng)用還有待于深入研究。納米微粒比表面積以及表面張力大，納米微粒容易吸附而發(fā)生團(tuán)聚，而這種易團(tuán)聚的粒子很難分散開來，如果這些團(tuán)聚的粒子沒有良好的分散，就難以發(fā)揮納米材料在涂料中應(yīng)有的作用。因此，針對納米粒子團(tuán)聚問題，就必須深入研究納米粒子團(tuán)聚后的分散，要加大研究，以科學(xué)、先進(jìn)的方法來講這些團(tuán)聚的粒子來分散。納米材料屬于該科技產(chǎn)品，納米材料在涂料中的應(yīng)用與其他材料在涂料中的應(yīng)用情況有著一定的區(qū)別，納米材料在應(yīng)用過程需要根據(jù)涂料的特性來進(jìn)行，但是就目前來看，納米材料對涂料的作用研究還不夠深入，以至于納米涂料技術(shù)水平不夠高，涂料性能與國外相比存在著一定的差距。因此，加大科技的研究是納米材料普及應(yīng)用的保障。一方面，要繼續(xù)深入研究納米材料科技，不斷提高納米材料技術(shù)含量，另一方面，要加強(qiáng)國際合作，學(xué)習(xí)國外先進(jìn)的技術(shù)理念，從而更好地發(fā)揮納米材料在涂料中的作用，不斷能提高涂料的性能。

6納米材料及其技術(shù)在涂料中的應(yīng)用

6.1TiO2在涂料中的應(yīng)用

納米TiO2具有光學(xué)效應(yīng)，其粒徑發(fā)生改變，光學(xué)效應(yīng)也發(fā)生變化。納米TiO2中的金紅石型材料能夠變色，角度不同，顏色隨之發(fā)生改變。多應(yīng)用于汽車噴漆中，能夠產(chǎn)生一些很神奇的變化。利用納米TiO2中的紫外吸收特性，對汽車面漆的耐候性能有較大的提升。除此之外，納米TiO2還具有光催化特性，利用其這一特性，能夠?qū)諝猱a(chǎn)生凈化作用，并且對于空氣中的其他污染物進(jìn)行降解，保護(hù)環(huán)境。

TiO2的光催化效應(yīng)及應(yīng)用：納米二氧化鈦具有高的光催化活性，是一種光催化半導(dǎo)體抗菌劑，在波長小于400nm的光照下，能吸收能量高于其禁帶寬度的短波光輻射，產(chǎn)生電子躍遷，價(jià)帶電子被激發(fā)到導(dǎo)帶，形成空穴-電子對，并將能量傳遞到周圍介質(zhì)，誘發(fā)光化學(xué)反應(yīng)，具有光催化能力。一般抗菌劑有殺菌作用，但不能分解毒素，而二氧化鈦利用生成的活性氧殺菌，并且能使細(xì)菌死后產(chǎn)生的內(nèi)毒素分解。納米TiO2廣泛應(yīng)用于自潔陶瓷、玻璃以及廚房和醫(yī)院設(shè)施中，一些高速公路兩側(cè)的護(hù)墻上也涂有納米TiO2以消除汽車尾氣的影響。

TiO2的紫外屏蔽應(yīng)用：納米TiO2的小尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)和誘導(dǎo)效應(yīng)可使光吸收帶藍(lán)移，產(chǎn)生強(qiáng)的紫外吸收。納米TiO2具有很好的紫外線屏蔽作用，也是一種防老化材料，可將其均勻分散到涂料中制成紫外線屏蔽涂層和抗老化涂層。納米TiO2作為一種良好的永久性紫外線吸收材料還可用于配制耐久型外用透明面漆，一般用于木器、家具、文物保護(hù)等領(lǐng)域。

6.2SiO2在涂料中的應(yīng)用

納米SiO2是無定型白色粉末，是一種無毒，無味，無污染的無機(jī)非金屬材料，表面存在不飽和的殘鍵和不同鍵和狀態(tài)的羥基，其分子結(jié)構(gòu)呈三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

納米顆粒的比表面積和表面張力都很大，容易相互吸附而發(fā)生團(tuán)聚。而納米粒子如果不能真正的以納米級分散在涂料中，就失去了其應(yīng)有的作用。添加納米SiO2的涂料具有防流掛，施工性能良好，尤其是抗沾污性大大提高，具有優(yōu)良的自清潔性能和附著力。納米二氧化硅具有極強(qiáng)的紫外吸收、紅外反射特性，它添加在涂料中，能對涂料形成屏蔽作用，達(dá)到抗紫外老化和熱老化的目的，同時(shí)增加涂料的隔熱性。

6.3納米CaCO3在涂料中的應(yīng)用

納米碳酸鈣的主要作用是改善涂料的性能，使涂料的觸變性更好，在施工的過程中防止流掛并增加涂料的貯存穩(wěn)定性。納米碳酸鈣改善涂料觸變性的主要原因是由于納米碳酸鈣粒子表面相互聚集的氫鍵作用力不強(qiáng)，很容易被剪切力切開，在使用的時(shí)候這些氫鍵在外部剪切力的作用下又可以迅速的恢復(fù)，能夠迅速的重整結(jié)構(gòu)。納米碳酸鈣對涂膜有一定的補(bǔ)強(qiáng)作用，同時(shí)還具備其他納米材料的普遍共性“藍(lán)移”現(xiàn)象。從納米碳酸鈣的結(jié)構(gòu)來看，部分納米粒子聚集并形成一次鏈狀結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以將涂料的結(jié)構(gòu)化水平提高，在與聚合物混合時(shí)形成的物理纏結(jié)能力增強(qiáng)，從而增加涂膜補(bǔ)強(qiáng)效果。

7結(jié)束語

綜上所述，加強(qiáng)對納米材料及其技術(shù)在涂料產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用的研究分析，對于其良好實(shí)踐效果的取得有著十分重要的意義，因此在今后的納米材料及其技術(shù)應(yīng)用過程中，應(yīng)該加強(qiáng)對其關(guān)鍵環(huán)節(jié)與重點(diǎn)要素的重視程度，并注重其具體實(shí)施措施與方法的科學(xué)性。

作者：韓繼強(qiáng)

參考文獻(xiàn) 

第8篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

3月初，中芯國際公布了其2013年財(cái)報(bào)，全年實(shí)現(xiàn)凈利潤1.73億美元，同比增長近7倍，創(chuàng)下歷史最好業(yè)績，這是中芯國際連續(xù)兩年實(shí)現(xiàn)盈利，在其成立12年的歷史中也屬首次。

帶領(lǐng)這個(gè)芯片巨頭走出泥沼的是時(shí)隔6年后重新回歸的邱慈云。作為中芯建廠元老之一，邱慈云在2001年2005年一直擔(dān)任中芯的高級運(yùn)營副總裁。2011年8月，他的強(qiáng)勢回歸既被視為意外，又被認(rèn)為是情理之中。

本期《張江新經(jīng)濟(jì)》聯(lián)席主編韓露對話中芯國際CEO邱慈云?，F(xiàn)年58歲的邱慈云有近30年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，外號“711”的他每天工作時(shí)間從早上7點(diǎn)到晚上11點(diǎn)，將英特爾公司傳奇CEO安迪?葛洛夫的名言“只有偏執(zhí)狂才能生存”奉為圭臬。

韓露：中芯國際從成立伊始，走過了一段非常曲折的路程，也經(jīng)歷過非常困難的時(shí)期，作為創(chuàng)業(yè)元老之一，您對這段歷史有什么注解？

邱慈云：中芯國際是國內(nèi)較早成立的半導(dǎo)體企業(yè)，當(dāng)時(shí)國內(nèi)這一產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)非常薄弱，我們的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)都是抱持著實(shí)業(yè)報(bào)國的一腔熱血回國。從無到有是一件非常不容易的事，我也很榮幸見證了這段歷史。

我們走過一些彎路，但取得的成績更加令人振奮。時(shí)至今日，我們覺得中芯國際迎來了最佳的發(fā)展機(jī)會――隨著國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的壯大，生態(tài)的成熟，包括中芯國際在內(nèi)的同仁們都站在了一個(gè)最佳的“風(fēng)口”。

韓露：2011年重新回來，很快就幫助中芯扭虧為盈，您對這一成績的總結(jié)是“效率提高”，如果更直白一點(diǎn)是否可以理解為“更加務(wù)實(shí)”？比如不再一味追求先進(jìn)工藝，而是更加注重成熟工藝的利用；比如更加重視國內(nèi)客戶的需求；比如不再盲目擴(kuò)大產(chǎn)能，而是首先最大化利用好現(xiàn)有產(chǎn)能？

邱慈云：在中芯國際全體員工的努力下，我們在2011年用了三個(gè)季度扭虧為盈。在營運(yùn)上，中芯國際的方針是“充分利用現(xiàn)有產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)效率提升”，通過提高生產(chǎn)效率，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品良率，全面充分利用現(xiàn)有產(chǎn)能。同時(shí)，我們也根據(jù)客戶的需要，進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充以滿足其日益增長的需求。

在工藝上，中芯國際堅(jiān)持兩條腿走路。一方面，加速追趕國際先進(jìn)主流工藝的前進(jìn)步伐；另一方面，大力挖掘成熟工藝領(lǐng)域的特殊制程，發(fā)揮差異化優(yōu)勢，為客戶提供更加豐富的增值服務(wù)。

在市場戰(zhàn)略上，我們對客戶采取了多元化策略，在服務(wù)好國際大廠的前提下，挖掘大陸客戶的增長潛能并保證給予相當(dāng)比例的產(chǎn)能分配，這樣可在市場需求景氣波動(dòng)時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健發(fā)展。同時(shí)，扶持同業(yè)中的關(guān)鍵企業(yè)，鼓勵(lì)國內(nèi)代工廠、封裝廠、設(shè)計(jì)公司、IP（知識產(chǎn)權(quán)）和EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）供應(yīng)商相互支持，以形成一個(gè)以共同利益為基礎(chǔ)的生態(tài)系統(tǒng)。

韓露：您對集成電路行業(yè)的“軍備競賽”怎么看？

邱慈云：“軍備競賽”是一種投資競爭，比拼的是產(chǎn)能和技術(shù)。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，工藝特征尺寸不斷微縮，研發(fā)投資越來越大，建廠投入越來越高，但是作為“第一梯隊(duì)”的國際巨頭們要保持領(lǐng)先優(yōu)勢，就必須持續(xù)發(fā)展最領(lǐng)先的技術(shù)與工藝。這意味著各家需要不斷投巨資于技術(shù)開發(fā)和先進(jìn)產(chǎn)能。而作為“第二梯隊(duì)”的企業(yè)應(yīng)該在力所能及的領(lǐng)域?qū)ふ覚C(jī)會。比如某些細(xì)分市場則為“第二梯隊(duì)”廠商提供了市場空間，在這些領(lǐng)域的深耕，將會給“第二梯隊(duì)”廠商帶來更多機(jī)會，更大的利潤空間。

每一家企業(yè)都應(yīng)該按照自身的特點(diǎn)，尋找適合自己的領(lǐng)域深耕，發(fā)揮出自己的優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)持續(xù)成長。中芯國際并不以投資額為衡量指標(biāo)，而是以滿足客戶需求為首要目標(biāo)。如果中芯要進(jìn)行投資和擴(kuò)張，首先要確保這個(gè)投資是正確的，其次仍舊是確保以客戶需求為導(dǎo)向。

韓露：上月與長電科技的合作，關(guān)于其戰(zhàn)略意義、對產(chǎn)業(yè)的影響等，業(yè)界有各種解讀，作為事件的主導(dǎo)方，您怎么看此次的雙方合作？

邱慈云：中芯國際已實(shí)現(xiàn)了連續(xù)兩年的盈利成長，連創(chuàng)銷售收入歷史新高。在和客戶攜手共同邁向新的事業(yè)巔峰之時(shí)，越來越感覺到在先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，12英寸凸塊加工（Bumping）已成為代工廠必備的手段，只有一個(gè)健全、完整、有效的本地高端產(chǎn)業(yè)鏈，才能全面凸顯中芯先進(jìn)工藝芯片代工的價(jià)值，也才能真正有利于客戶更好地開拓中國快速增長的芯片市場。為此，中芯國際下定決心，主導(dǎo)發(fā)展中段凸塊加工生產(chǎn)線，并與國內(nèi)半導(dǎo)體封測龍頭企業(yè)江蘇長電科技聯(lián)手，通過兩者優(yōu)勢互補(bǔ)，擬在中國建設(shè)完整的中后段集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，形成中國大陸健全、有效的本地高端芯片加工產(chǎn)業(yè)鏈。我們還將以此為基礎(chǔ)，進(jìn)一步向3D先進(jìn)封裝發(fā)展，以配合公司未來的發(fā)展規(guī)劃。此舉將進(jìn)一步提升中芯國際的核心競爭力。

韓露：不久前，中芯晶圓股權(quán)投資基金也投入運(yùn)營，這是一只什么樣的基金？

邱慈云：中芯晶圓股權(quán)投資（上海）有限公司是中芯國際設(shè)立的獨(dú)資投資基金公司，初始到位資金5億元人民幣，這是一個(gè)母基金，將聯(lián)合社會資金發(fā)起設(shè)立眾多子基金。通過設(shè)立子基金，帶動(dòng)社會資本共同投資集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，促進(jìn)中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，使投資人能夠分享集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展成果，同時(shí)實(shí)現(xiàn)股東權(quán)益最大化。

韓露：搜索關(guān)鍵詞為“中芯國際”的新聞，除了上述兩個(gè)，另外一個(gè)重大新聞就是關(guān)于28納米制程的進(jìn)展，這對于未來中芯的發(fā)展有什么影響？

邱慈云：我們在去年底宣布28納米工藝凍結(jié)，標(biāo)志中芯國際已正式進(jìn)入28納米工藝時(shí)代。目前，我們的28納米高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）和28納米多晶硅（PolySiON）工藝定案已成功完成，并且已進(jìn)入多項(xiàng)目晶圓（MPW）階段。

預(yù)計(jì)28nm制程在2014年底會有少量的銷售貢獻(xiàn)，在2015年會正式進(jìn)入量產(chǎn)。該里程碑證明了我們能夠?yàn)槿騃C設(shè)計(jì)商提供頂尖的技術(shù)支持，夯實(shí)了我們在移動(dòng)計(jì)算相關(guān)IC制造領(lǐng)域中的有利地位。

韓露：集成電路起源于美國，但逐漸有一個(gè)“西退東渡”的過程，帶動(dòng)了日本、“亞洲四小龍”等國家和地區(qū)的經(jīng)濟(jì)騰飛，近期的韓國更是典范之一，您對這個(gè)趨勢怎么看？中國能夠成為受惠者之一嗎？

邱慈云：中國大陸有一個(gè)很特別的環(huán)境，中國半導(dǎo)體業(yè)的機(jī)會也在這里。上世紀(jì)60～80年代是美國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最好的環(huán)境，有系統(tǒng)公司、消費(fèi)電子公司，還有國防工業(yè)，這都帶動(dòng)了IDM模式（集成器件制造）的發(fā)展。美國現(xiàn)在仍有系統(tǒng)公司、消費(fèi)電子公司（如蘋果公司）。再看其他地方，日本在上世紀(jì)80年代、90年代也有這樣的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常蓬勃，歐洲也是如此。但現(xiàn)在，歐洲和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都式微了，無法持續(xù)下去。對于韓國和臺灣，其整合的面比較窄，臺灣只有電腦公司，沒有系統(tǒng)公司，韓國也沒有系統(tǒng)公司，只有很好的消費(fèi)電子公司。

而對于中國大陸來說，現(xiàn)在有很強(qiáng)的系統(tǒng)公司，如華為；也有很強(qiáng)的電腦公司，如聯(lián)想；還有優(yōu)秀的消費(fèi)電子公司，如TCL、海爾等，而且這些公司都處在上升階段，這會給半導(dǎo)體設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)帶來很多機(jī)會，這是當(dāng)下我們中國大陸的特殊機(jī)遇，這在其他地方已經(jīng)不存在了。

韓露：想把握這個(gè)機(jī)遇，中國還應(yīng)該在哪些方面努力？

邱慈云：集成電路產(chǎn)業(yè)是國家基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，國家應(yīng)從戰(zhàn)略高度上支持集成電路的發(fā)展，并借鑒國外集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成功經(jīng)驗(yàn)，以支持集成電路制造企業(yè)為重點(diǎn)，兼顧相關(guān)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在資金、人才等方面持續(xù)加大投入，使一部分重點(diǎn)企業(yè)盡快步入世界最先進(jìn)行列，以此帶動(dòng)全行業(yè)的發(fā)展進(jìn)步；

另一方面，我們要切實(shí)貫徹落實(shí)國家支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策，并將相關(guān)政策系列化，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的生態(tài)環(huán)境，注重高端人才的培養(yǎng)與引進(jìn)。

韓露：您剛剛獲得了本年度的SEMI outstanding EHS achievement Award，請問獲得這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)的原因，您認(rèn)為EHS工作對中芯國際的發(fā)展帶來何種影響？

邱慈云：SEMI outstanding EHS achievement Award是為紀(jì)念已故的日本東京電子總裁Akira Inoue 對EHS事業(yè)作出的貢獻(xiàn)同時(shí)增進(jìn)全球業(yè)界對EHS的關(guān)注而設(shè)立。該獎(jiǎng)項(xiàng)表彰了中芯國際在環(huán)境保護(hù)、工作健康與廠房安全（EHS）方面所做的努力與貢獻(xiàn)。

在工業(yè)安全方面，中芯國際在過去的三年里百人可記錄工傷率持續(xù)降低。在2013年，百人可記錄工傷率降低到0.01，還在追求更高的標(biāo)準(zhǔn)，已將事故和工傷的目標(biāo)設(shè)定為零。在節(jié)能環(huán)保方面，中芯國際通過節(jié)能項(xiàng)目的實(shí)施，節(jié)約能源相當(dāng)于每年3551噸煤，通過安裝65套電熱水洗式溫室效應(yīng)氣體本地處理系統(tǒng)，中芯國際每年減少44473噸二氧化碳當(dāng)量的溫室氣體。中芯國際還在上海工廠增加了四套裝備系統(tǒng)以減少廢磷酸的產(chǎn)生，通過系統(tǒng)每年減少廢磷酸排放量達(dá)8.6萬噸，極大減少了對周圍水環(huán)境的影響。

第9篇：半導(dǎo)體與導(dǎo)體的區(qū)別范文

【關(guān)鍵詞】集成電路 布圖設(shè)計(jì) 知識產(chǎn)權(quán)

現(xiàn)代信息技術(shù)以微電子技術(shù)的發(fā)展為基礎(chǔ)，而集成電路無疑是微電子技術(shù)中重要的一部分。但目前針對企業(yè)集成電路布圖設(shè)計(jì)的侵權(quán)案件也日益增多，這給蒸蒸日上的半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)帶來了不小的陰影。企業(yè)該如何有效地保護(hù)自己的集成電路知識產(chǎn)權(quán)是本文要探討的核心問題。

一、集成電路知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的內(nèi)容

（一）集成電路與集成電路布圖設(shè)計(jì)。

集成電路，又稱芯片，在電子學(xué)中是一種把電路小型化的方式，就是指將晶體管等元器件及其相互的連線固化在半導(dǎo)體晶圓表面上，從而使其可以具備某項(xiàng)電子功能的成品或半成品。

集成電路布圖設(shè)計(jì)是指一種體現(xiàn)了集成電路各電子元件三維配置的方式的圖形，布圖設(shè)計(jì)是區(qū)別各種集成電路的基礎(chǔ)，不同功能的集成電路其布圖設(shè)計(jì)也不同，對集成電路的保護(hù)主要通過對布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)來實(shí)現(xiàn)。

（二）集成電路在知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)上的特點(diǎn)

1.集成電路并未具有顯著的創(chuàng)造性

集成電路集成規(guī)模的大小代表了集成電路產(chǎn)品的水平高低，集成電路產(chǎn)品的制造者著力提高的就是集成電路的集成度，即在同樣大小的芯片上集成更多的電子元件。集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展主要體現(xiàn)在集成規(guī)模的提高上，規(guī)模的提高雖然在業(yè)內(nèi)代表了技術(shù)的極大進(jìn)步，但是在法律上并無法有力的說明其有顯著的創(chuàng)造性，畢竟大多集成電路新產(chǎn)品都是在原有基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，所以集成電路產(chǎn)品集成度的提高并不當(dāng)然等同于專利法上的創(chuàng)造性。

2.集成電路布圖設(shè)計(jì)超出著作權(quán)保護(hù)范圍

集成電路布圖設(shè)計(jì)作為一種體現(xiàn)了作者獨(dú)創(chuàng)性的圖形作品，毫無疑問是受到著作權(quán)的保護(hù)的，但是筆者認(rèn)為著作權(quán)對集成電路布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)并不到位。我國現(xiàn)行法律中規(guī)定了的著作權(quán)的內(nèi)容中并沒有集成電路的布圖設(shè)計(jì)這一項(xiàng)。集成電路布圖設(shè)計(jì)的價(jià)值主要體現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中的運(yùn)用，但我們可以看到著作權(quán)對布圖設(shè)計(jì)投入工業(yè)運(yùn)用方面的保護(hù)是不足的，對于著作權(quán)人來說，傳統(tǒng)的著作權(quán)的內(nèi)容并不能很好地實(shí)現(xiàn)布圖設(shè)計(jì)的價(jià)值。

3.集成電路知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)需要協(xié)調(diào)與行業(yè)發(fā)展之間的關(guān)系

集成電路行業(yè)發(fā)展的主要方向就是不斷提高集成電路芯片的集成規(guī)模，而這些發(fā)展和提高都是基于原有的集成電路設(shè)計(jì)，即大多通過“反向工程”的方法將獲悉他人的集成電路布圖設(shè)計(jì)方法，并在前人的基礎(chǔ)上進(jìn)行技術(shù)的提高和發(fā)展。毫無疑問的是，這種“反向工程”的方法是侵犯了原著作權(quán)人的禁止不經(jīng)許可進(jìn)行復(fù)制的權(quán)利的，但是我們不能簡單地認(rèn)為這種“竊取”別人知識產(chǎn)權(quán)的行為就是違法的，如果這樣草率的下決定將會對整個(gè)集成電路行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生毀滅性的打擊，極大地提高企業(yè)研發(fā)成本，同時(shí)也不利于社會信息化的實(shí)現(xiàn)。所以，我們的立法必須承認(rèn)實(shí)行“反向工程”的合理之處，協(xié)調(diào)好知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)與半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的關(guān)系。

二、企業(yè)集成電路知識產(chǎn)品保護(hù)戰(zhàn)略

（一）明晰權(quán)利歸屬。

企業(yè)應(yīng)當(dāng)和員工在研發(fā)新的集成電路設(shè)計(jì)之前，應(yīng)當(dāng)明確該集成電路的研發(fā)是在企業(yè)的組織和意志下進(jìn)行，還是委托員工研發(fā)。根據(jù)我國《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》第九條至第十一條規(guī)定，如果是委托員工研發(fā)的，在研發(fā)之前企業(yè)應(yīng)與員工簽訂明確的委托開發(fā)協(xié)議，明確布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)的權(quán)利歸屬，以免日后發(fā)生爭議無法出示相關(guān)證據(jù)。而與其他法人、組織、自然人合作開發(fā)的項(xiàng)目，在研發(fā)之前也應(yīng)該簽訂類似協(xié)議，明確各方享有專有權(quán)的范圍。

（二）重視知識產(chǎn)權(quán)的申報(bào)和登記。

依照法律規(guī)定，未經(jīng)登記的布圖設(shè)計(jì)是無法受到法律保護(hù)的。所以企業(yè)既要注重研發(fā)之前的明確各方權(quán)利義務(wù)的工作，也要在重視在研發(fā)之后的專有權(quán)申報(bào)工作。對集成電路布圖設(shè)計(jì)進(jìn)行登記的時(shí)候，要特別注意我國法律的時(shí)效規(guī)定，《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》第十七條規(guī)定：布圖設(shè)計(jì)自其在世界任何地方首次商業(yè)利用之日起2年內(nèi)，未向國務(wù)院知識產(chǎn)權(quán)行政部門提出登記申請的，國務(wù)院知識產(chǎn)權(quán)行政部門不再予以登記[ 同上]。研發(fā)完畢之后立即進(jìn)行登記工作，是企業(yè)避免遭遇知識產(chǎn)權(quán)侵權(quán)的重要方法。

（三）發(fā)現(xiàn)侵權(quán)行為要及時(shí)進(jìn)行追究。

企業(yè)發(fā)現(xiàn)他人未經(jīng)允許使用其布圖設(shè)計(jì)，復(fù)制其布圖設(shè)計(jì)中全部或者任何具有獨(dú)創(chuàng)性的部分，為商業(yè)目的進(jìn)口、銷售或者以其他方式提供受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)、含有該布圖設(shè)計(jì)的集成電路或者含有該集成電路的物品的，企業(yè)可以要求對方及時(shí)停止侵權(quán)行為，并賠償損失和制止侵權(quán)行為所產(chǎn)生的合理費(fèi)用。如果雙方協(xié)商不成，還可以要求國務(wù)院知識產(chǎn)權(quán)行政部門進(jìn)行處理或向人民法院提訟。

三、總結(jié)

我國集成電路行業(yè)作為新興行業(yè)，發(fā)展?jié)摿薮?，但基于半?dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的自身特點(diǎn)和國內(nèi)市場嚴(yán)峻的競爭形勢，集成電路企業(yè)應(yīng)該在加大研發(fā)力度和增強(qiáng)市場競爭能力的同時(shí)，注重產(chǎn)品的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作，占據(jù)市場的技術(shù)優(yōu)勢，從而轉(zhuǎn)化為經(jīng)營的優(yōu)勢。在國家的政策扶植和相關(guān)法規(guī)不斷完善的情況之下，我國的半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)企業(yè)必將迎來一個(gè)發(fā)展的春天。

參考文獻(xiàn)：