IEEE電子器件學(xué)會雜志
國際簡稱：IEEE J ELECTRON DEVI
Ieee Journal Of The Electron Devices Society
SCIE
按雜志級別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)
- ISSN：2168-6734
- 創(chuàng)刊時間：2013
- 是否預(yù)警：否
- E-ISSN：2168-6734
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否OA：開放
- 出版語言：English
- 出版周期：1 issue/year
- 影響因子：2
- 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 審稿周期： 9 Weeks
- CiteScore：5.2
- H-index：23
- 出版國人文章占比：0.21
- 開源占比：0.9789
- 文章自引率：0.0434...
Ieee Journal Of The Electron Devices Society雜志簡介
Ieee Journal Of The Electron Devices Society是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自2013年創(chuàng)刊以來，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號（ISSN：2168-6734，E-ISSN：2168-6734），出版周期1 issue/year，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實踐經(jīng)驗的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開展國際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。
該期刊文章自引率0.0434...，開源內(nèi)容占比0.9789，出版撤稿占比0，OA被引用占比1，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者，這些讀者群體來自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Journal Of The Electron Devices Society已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。
CiteScore（2024年最新版）
- CiteScore：5.2
- SJR：0.505
- SNIP：0.955
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 90 / 284 |
68% |
| 大類：Materials Science 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 253 / 797 |
68% |
| 大類：Materials Science 小類：Biotechnology | Q2 | 139 / 311 |
55% |
CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評估，打破了過去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標(biāo)的詳細(xì)信息。
CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對比
Ieee Journal Of The Electron Devices Society中科院分區(qū)表
中科院分區(qū) 2023年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2022年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖
WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個學(xué)科，每個學(xué)科又按照影響因子高低分為四個區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
歷年發(fā)文數(shù)據(jù)
| 年份 | 年發(fā)文量 |
| 2014 | 0 |
| 2015 | 0 |
| 2016 | 69 |
| 2017 | 110 |
| 2018 | 169 |
| 2019 | 188 |
| 2020 | 198 |
| 2021 | 180 |
| 2022 | 144 |
| 2023 | 92 |
期刊互引關(guān)系
| 被他刊引用情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
| SEMICOND SCI TECH | 36 |
| IEEE ACCESS | 29 |
| JPN J APPL PHYS | 27 |
| SOLID STATE ELECTRON | 22 |
| APPL PHYS LETT | 20 |
| MICROMACHINES-BASEL | 20 |
| J APPL PHYS | 18 |
| 引用他刊情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
| APPL PHYS LETT | 311 |
| J APPL PHYS | 180 |
| SOLID STATE ELECTRON | 105 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| JPN J APPL PHYS | 73 |
| NANO LETT | 64 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
| NATURE | 53 |
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中科院分區(qū)：4區(qū)